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2N7002

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 N沟道增强模型场效应晶体管 DS=60V VGS=±20V ID=115mA P=225mW

制造商:ON

中文数据手册

产品信息

优势特点

该N沟道增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高单元密度DMOS技术生产。 这款产品旨在最大限度地降低导通阻抗,同时提供稳固、可靠、快速的开关性能。 可用于大部分需要高达400mA直流电流的应用,并且能够提供高达2A的脉冲电流。 这款产品特别适合低压、低电流应用(如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器)以及其他开关应用中。

  • 高密度单元设计可实现极低的 R

  • 电压控制的小型信号开关。

  • 坚固而可靠。

  • 高饱和电流能力。


规格参数

产品分类

场效应管(MOS管)

三极管及MOS管



FET配置(电路类型)

N沟道


漏源击穿电压V(BR)dss

60V


漏极电流(Id, 连续)

115mA(Ta)


导通电阻 Rds(on)

7欧姆


阈值电压Vgs(th)

2.5V@250µA


最大耗散功率

225mW


封装/外壳

SOT-23-3(SC-59,TO-236-3)



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型号制造商描述购买
2N7002TK类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):115mA 功率(Pd):225mW 立即购买
2N7002MDD类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):500mA 功率(Pd):300mW 立即购买
2N7002SKN沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):0.43A 功率(Pd):0.83W 立即购买
2N7002HottechMOSFETs N-Channel Vdss:60V Id:115mA Pd:225mW SOT23 立即购买
2n7002JCETMOSFETs N-Channel Vdss=60V Id=115mA Pd=225mW SOT23-3 立即购买
2N7002NXPN沟道 60V 0.115A 立即购买

技术资料

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SOT-23PDF32 点击下载
N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorPDF757 点击下载
Using Fairchild Semiconductor Dual Cool™ MOSFETsPDF501 点击下载
Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT™-6 Power MOSFETsPDF319 点击下载
Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet ExplanationPDF1588 点击下载
FAN9611 / FAN9612 400W 1-Layer Evaluation Board User Guide (FEB301)PDF2048 点击下载
Analysis of MOSFET Failure Modes in LLC Resonant ConverterPDF1707 点击下载
Driving and Layout Design for Fast Switching Super-Junction MOSFETsPDF2048 点击下载

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2N50382308-2DCG2SK9322N7002T
2SA22022N50882N70002N6052
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