
制造商:ON
该N沟道增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高单元密度DMOS技术生产。 这款产品旨在最大限度地降低导通阻抗,同时提供稳固、可靠、快速的开关性能。 可用于大部分需要高达400mA直流电流的应用,并且能够提供高达2A的脉冲电流。 这款产品特别适合低压、低电流应用(如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器)以及其他开关应用中。
高密度单元设计可实现极低的 R
。
电压控制的小型信号开关。
坚固而可靠。
高饱和电流能力。
产品分类 | ||
FET配置(电路类型) | N沟道 | |
漏源击穿电压V(BR)dss | 60V | |
漏极电流(Id, 连续) | 115mA(Ta) | |
导通电阻 Rds(on) | 7欧姆 | |
阈值电压Vgs(th) | 2.5V@250µA | |
最大耗散功率 | 225mW | |
封装/外壳 | SOT-23-3(SC-59,TO-236-3) |
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
2N7002 | TK | 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):115mA 功率(Pd):225mW | 立即购买 |
2N7002 | MDD | 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):500mA 功率(Pd):300mW | 立即购买 |
2N7002 | SK | N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):0.43A 功率(Pd):0.83W | 立即购买 |
2N7002 | Hottech | MOSFETs N-Channel Vdss:60V Id:115mA Pd:225mW SOT23 | 立即购买 |
2n7002 | JCET | MOSFETs N-Channel Vdss=60V Id=115mA Pd=225mW SOT23-3 | 立即购买 |
2N7002 | NXP | N沟道 60V 0.115A | 立即购买 |
中扮演着开关、放大器等角色。 1. 2N7000系列 型号 :2N7002、2N7005、2N7007、2N7008 类型 :N沟道增强型MOSFET 最大电压 :60V(2N7002)、30V
该UTC 2N7002 已被设计为减小导通阻力,而提供坚固,可靠,快速切换性能。它可以在需要高达大多数应用中使用 400毫安DC,并且可以提供脉冲电流高达2A.该产品特别适用于低电压,低电流应用,例如作为小型伺服电机控制,功率M...
Nordic nRF7002 完美补充 Nordic 蜂窝物联网和多协议无线解决方案,帮助物联网应用开发人员有效利用 Wi-Fi 6 的更高吞吐量和无处不在的家居和工业基础设施。
Analog Devices Inc. ADPA7002功率放大器是砷化镓 (GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT)、单片微波集成电路 (MMIC)、28dBm (1/2W) 放大器。ADPA7002集成温度补偿片上功率检测器,工作频率范围为18GHz至44GHz。
该电路的核心在于电路中的MOS场效应管(2N7002)。它和三极管的功能很相似,可做开关使用,即可控制电路的通和断。不过比起三极管,MOS管有挺多优势,后面将会详细讲起。
TPS7A7002 是一款高性能、正电压、低压降 (LDO) 稳压器,针对 要求 在高达 3A 的电流下拥有超低输入电压和超低压降的应用而设计。
该电路的核心在于电路中的MOS场效应管(2N7002)。他和三极管的功能很相似,可做开关使用,即可控制电路的通和断。不过比起三极管,MOS管有挺多优势,后面将会详细讲起。
该电路的核心在于电路中的MOS场效应管(2N7002)。他和三极管的功能很相似,可做开关使用,即可控制电路的通和断。不过比起三极管,MOS管有挺多优势,后面将会详细讲起。下图是MOS管实物3D图和
2N3771 | 2N4919 | 25AA160D | 24LC16BH |
2N5038 | 2308-2DCG | 2SK932 | 2N7002T |
2SA2202 | 2N5088 | 2N7000 | 2N6052 |
25LC160C | 2N7002K | 24AA02H | 24C01C |
2309-1DCGI | 24AA01H | 2304NZGI-1LF | 2SA1962 |
元器件业务:
0731-85350837
0731-85351037
PCB/SMT/PCBA业务:
0755-83688678
周一至周五(9:00-12:00 13:30-18:30)节假日除外
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