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2N6039

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 4.0 A, 80 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor

制造商:ON

中文数据手册

产品信息

The Power 4 A, 80 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor is designed for general purpose amplifier and low speed switching applications.
  • High DC Current Gain -
  • h
  • = 2000 (Typ) @ I
  • = 2.0 Adc
  • Collector-Emitter Sustaining Voltage - @ 100 mAdc
  • V
  • = 60 Vdc (Min) - 2N6035, 2N6038
  • V
  • = 80 Vdc (Min) - 2N6036, 2N6039
  • Forward Biased Second Breakdown Current Capability
  • I
  • = 1.5 Adc @ 25 Vdc
  • Monolithic Construction with Built-in Base-Emitter
  • Resistors to Limit Leakage Multiplication
  • Space-Saving High Performance-to-Cost Ratio
  • TO-225AA Plastic Package
  • Pb-Free Packages are Available

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Plastic Darlington Complementary Silicon Power TransistorsPDF144 点击下载
Saber ModelUNKNOW185 点击下载
PSpice ModelUNKNOW172 点击下载
Spice2 ModelUNKNOW172 点击下载
Spice3 ModelUNKNOW172 点击下载
TO-225PDF31 点击下载
2N6035_PKG.GIFUNKNOW5 点击下载

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