1EDI20N12AF

产品信息

电路图、引脚图和封装图

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  1EDI20N12AF电路图

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  1EDI20N12AF 引脚图

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  1EDI20N12AF 封装图

技术资料

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• 选型手册：MOT7N65AF N 沟道功率 MOSFET 晶体管

  仁懋电子（MOT）推出的MOT7N65AF是一款面向650V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借超低栅极电荷、快速开关特性及稳定雪崩能力，广泛适用于高效开关电源、半桥式电子镇流器、LED

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• SiC MOSFET单管在并联条件下的均流特性分析

  ... SiC MOSFET IMZ120R045M1(1200V/45mΩ)、TO247-4pin、两并联 Driver IC 1EDI40I12AF、单通道、磁隔离、驱动电流±4A(min) 2、仿

  2021-03-11
• 观海微GH8555BL+BOE9.0(AV090HDQ-N19)/ Boe10.1(AV101HDQ-N19)搭配原理及代码

  VBP:8 Vfp:9 Hsync:20 hbp:20 hfp:140     Generic_Short_Write_1P(0xee,0x50);             

  2023-01-04
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  2022-07-19
• EiceDRIVER 系列新产品：1EDI Compact驱动器采用无芯变压器技术 适用于电压高达1200V的应用

  ...科技股份有限公司推出针对绝缘电压高达1200伏的应用的1EDI EiceDRIVERTM Compact单通道栅极驱动器。该款电气绝缘驱动器的组件采用英飞凌研发的无磁芯变压器技术，该技术可以在独立的输出引脚上实现高达6安培的输出电流。

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• Xilinx宣布率先量产20nm FPGA器件

  2014年12月22日，中国北京 - All Programmable 技术和器件的全球领先企业赛灵思公司（Xilinx， Inc. （NASDAQ:XLNX））今天宣布其 Kintex® UltraScale™ KU040 FPGA成为业界首款投入量产的20nm器件。

  2014-12-23
• GaN Charger推荐方案- HGN093N12S/SL高频应用MOSFET

  选用本款HGN093N12S/SL产品， 可以让客户提高整机效率， 并且温度也随之下降， 效率提升之外， 整体表现与CP值都能有效提升。

  2021-03-23
• 1N4001S~1N4007S整流二极管

  前两天二极管生产厂家东沃电子科普过1N4007和1N4007G这两种普通塑封整流二极管，查看“STD-1N4001 Thru 1N4007 (DO-41) Datasheet

  2023-08-17

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