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VRF2933射频功率垂直MOSFET
Microsemi提供用于宽带商用和军用应用的VRF2933 RF功率垂直MOSFET（VRF2933 RF Power Vertical MOSFET）
发布时间：2018-06-14
Microsemi Power Products的 VRF RF MOSFET是工业标准RF晶体管的改进替代品。它们采用坚固耐用的设计，漏极电压至少为170 V.
Microsemi的VRF2933是一款金金属化硅n沟道射频功率晶体管，专为需要高功率和增益而不影响可靠性，耐用性或互调失真的宽带，商用和军事应用而设计。
VRF2933射频功率垂直MOSFET特性
3：1在指定的工作条件下加载VSWR功能
300 W，30 MHz，50 V时最小增益为20 dB
出色的稳定性和低IMD
改善的坚固性V （BR）DSS = 170 V.
耐火金金属化
常见的源配置
热增强型封装
氮化物钝化
符合RoHS标准
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