Diodes公司的 SBR技术采用类似MOSFET的结构，可实现低正向电压损耗，降低高温反向漏电流，并且无需栅极电压控制即可快速切换。SBR二极管通过在沟道二极管的栅极和源极之间进行短接触来消除栅极电压电路的复杂性。为了确保在栅极下方仍存在弱反转沟道，氧化物厚度减小到最佳水平。通过利用CMOS离子注入工艺，SBR可以轻松调谐到适当的VF / IR权衡，而无需选择像肖特基二极管那样的不同金属类型。这允许芯片的进一步灵活性和可扩展性以满足新的市场需求。