Vishay / Siliconix 600 V和650 V N沟道功率场效应晶体管系列具有超低的最大导通电阻和广泛的额定电流。基于Vishay的下一代超级结技术，E系列MOSFET提供超低栅极电荷和低栅极电荷时间导通电阻，这是功率转换应用中使用的MOSFET的关键品质因数（FOM）。

Vishay的E系列600 V和650 V N沟道功率MOSFET采用超级结技术，可实现高效率和功率密度，同时在各种额定电流范围内提供更低的输入电容和更高的开关速度。这些场效应晶体管在10 V时提供超低的最大导通电阻，从39mΩ到600mΩ，比同一芯片尺寸的上一代S系列器件低30％。这种低导通电阻转换为极低的导通损耗，可在高功率，高性能开关模式应用中节省能量。E系列提供TO-247，TO-220，TO-220 FullPAK，薄导联TO-220 FullPAK，TO-251（IPAK），TO-252（DPAK）和TO-263（D²PAK）封装超低栅极电荷和低栅极电荷时间导通电阻FOM，适用于功率转换应用。