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E系列功率场效应晶体管
Vishay / Siliconix提供600 V和650 V N沟道E系列功率场效应晶体管（E Series Power MOSFETs）
发布时间：2018-06-14
Vishay / Siliconix 600 V和650 V N沟道功率场效应晶体管系列具有超低的最大导通电阻和广泛的额定电流。基于Vishay的下一代超级结技术，E系列MOSFET提供超低栅极电荷和低栅极电荷时间导通电阻，这是功率转换应用中使用的MOSFET的关键品质因数（FOM）。
Vishay的E系列600 V和650 V N沟道功率MOSFET采用超级结技术，可实现高效率和功率密度，同时在各种额定电流范围内提供更低的输入电容和更高的开关速度。这些场效应晶体管在10 V时提供超低的最大导通电阻，从39mΩ到600mΩ，比同一芯片尺寸的上一代S系列器件低30％。这种低导通电阻转换为极低的导通损耗，可在高功率，高性能开关模式应用中节省能量。E系列提供TO-247，TO-220，TO-220 FullPAK，薄导联TO-220 FullPAK，TO-251（IPAK），TO-252（DPAK）和TO-263（D²PAK）封装超低栅极电荷和低栅极电荷时间导通电阻FOM，适用于功率转换应用。
E系列功率场效应晶体管特性
电荷平衡超级结技术
与上一代器件相比，导通电阻降低了30％，从而提高了效率和功率密度
广泛的额定电流范围为6A至73A
超低的最大导通电阻，在10 V时从39mΩ到600mΩ
低栅极电荷和标准FOM
较低的输出电容（Coss）可降低Co（er）损耗
提高切换速度
Avalanche（UIS）具有可靠的运行等级
符合RoHS指令2002/95 / EC
提供TO-247，TO-220，TO-220 FullPAK，薄导联TO-220 FullPAK，TO-251（IPAK），TO-252（DPAK）和TO-263（D²PAK）封装
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | SIHA22N60E-E3 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 600V 21A TO-220 | 在线订购 | |
 | | SIHG47N60E-E3 | MOSFETs-晶体管 | ￥92.35457 | 在线订购 | |
 | | SIHB15N60E-GE3 | MOSFETs-晶体管 | MOS管 N-Channel VDS=600V VGS=±30V ID=15A RDS(ON)=28mΩ@10V | 在线订购 | |
| | SIHG22N60E-E3 | MOSFETs-晶体管 | 在线订购 | ||
| | SIHG33N60E-GE3 | MOSFETs-晶体管 | ￥30.25000 | 在线订购 | |
 | | SIHB33N60E-GE3 | MOSFETs-晶体管 | N沟道,650V,33A,0.099Ω@10V | ￥60.27306 | 在线订购 |
,%20SC-63_tmb.jpg) | | SIHD7N60E-GE3 | MOSFETs-晶体管 | ￥24.21609 | 在线订购 | |
 | | SIHF12N60E-E3 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLP | 在线订购 | |
| | SIHB12N60E-GE3 | MOSFETs-晶体管 | 在线订购 | ||
 | | SIHF7N60E-E3 | MOSFETs-晶体管 | 在线订购 | ||
 | | SIHB22N60E-GE3 | MOSFETs-晶体管 | 在线订购 | ||
 | | SIHA12N60E-E3 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 600V 12A TO-220 | ￥28.69468 | 在线订购 |
| | SIHA15N60E-E3 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 600V 15A TO-220 | 在线订购 | |
| | SIHB24N65E-E3 | MOSFETs-晶体管 | N-Channel 650V 24A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D2PAK | 在线订购 | |
 | | SIHB30N60E-GE3 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK | ￥59.47155 | 在线订购 |
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