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    采用PowerSO-10封装的MOSFET

    采用PowerSO-10封装的MOSFET

    意法半导体的高效率,高电流功率开关解决方案(MOSFETs in PowerSO-10 Package)

    发布时间:2018-06-14

    PowerSO-10是一种创新的表面贴装封装,由于采用独特的内部色带键合,因此具有极低的导通电阻和高额定电流。结合意法半导体的 STripFET III低电压Mosfet技术,该封装中的开关具有出色的电气和热性能。


    采用PowerSO-10封装的MOSFET特性

    • 导通电阻低

    • 高电流密度

    • 高结温。(175°C)

    • 标准阈值电压

    • 100%雪崩能量测试

    • 低栅极电荷

    • 提供20 V至75 V电压

    • 极低的R DS(on),低至1 mOhm

    • 出色的散热性能

    Mosfets in PowerSO-10 Package
    图片数据手册产品型号产品分类产品描述价格操作
    STV240N75F3MOSFETs-晶体管MOSFET N-CH 75V 240A POWERSO-10在线订购
    STV270N4F3MOSFETs-晶体管MOSFET N-CH 40V 270A POWERSO-10在线订购
    STV300NH02LMOSFETs-晶体管N沟道,24V,200A,0.8mΩ@10V在线订购

    应用案例

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    • 资讯Linux 下交叉编译实战:跑起来你的第一个 STM32 程序2025-11-24

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    • 资讯意法半导体IH2系列IGBT的简单介绍2025-11-24

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