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STripFET VI DeepGATE 系列功率 MOSFET
STMicroelectronics 的第 6 代 STripFET DeepGATE 系列功率 MOSFET（STripFET VI DeepGATE Series Power MOSFETs）
发布时间：2018-06-14
STMicroelectronics 利用称作 DeepGATE™ 的工艺扩展了其 40 V 至 80 V MOSFET。 这种工艺可让设计人员获得平面工艺结合类沟槽式结构的优势。 最终实现更高能效和更高密度的设计。 某些 MOSFET 采用以前推出的称为 H2PAK 的高电流封装。 40 V 至 80 V MOSFET 产品组合将不断发展和继续扩大。
STripFET VI DeepGATE 系列功率 MOSFET特性
更低 RDS(on)
更低 Q g（栅极电荷）
雪崩级
STripFET VI DeepGATE 系列功率 MOSFET应用
电机控制
DC/DC 转换器
电池供电型电动工具
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | STD44N4LF6 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 40V 44A DPAK | ￥4.50883 | 在线订购 |
 | | STI260N6F6 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 75V 120A I2PAK | 在线订购 | |
 | | STB120N4LF6 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK | ￥8.95237 | 在线订购 |
| | STD120N4F6 | MOSFETs-晶体管 | N沟道40 V、3.5 mOhm、80 A STripFET F6功率MOSFET，DPAK封装 | 在线订购 | |
 | | STH260N6F6-2 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK | ￥14.73290 | 在线订购 |
 | | STP210N75F6 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB | 在线订购 | |
 | | STP120N4F6 | MOSFETs-晶体管 | N沟道40 V、3.8 mOhm、80 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) 功率MOSFET，TO-220封装 | 在线订购 | |
;;2_tmb.jpg) | | STD120N4LF6 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 40V 80A DPAK | ￥7.87402 | 在线订购 |
 | | STP260N6F6 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 60V 120A TO220 | 在线订购 |
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