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N25Q 系列串行 NOR 闪存
旨在满足消费电子、工业、有线通信和计算应用需求而设计（N25Q Series Serial NOR Flash）
发布时间：2018-06-14
Micron Technology 串行 NOR 解决方案专为满足消费电子、工业、有线通信和计算应用需求而设计。 Micron 的行业标准封装、引脚分配、指令集和芯片组兼容性易于为设计采用，节省了宝贵的开发时间，同时确保与现有和未来设计的兼容性。
多 I/O（单、双和四通道）串行 NOR 线路具有吸引人的读取性能（高达 54 MB/s）、灵活的存储器分区（均匀 64 KB 和 4 KB）、小型封装尺寸以及宽封装支持。 N25Q 基于 65 nm 技术，采用 1.8 V 和 3 V 电源供电 ，也提供汽车级版本。 N25Q 可兼容 M25P 和 M25PX 系列。
N25Q 系列串行 NOR 闪存特性
市场上最广泛的SPI NOR产品组合
全电压范围和扩展温度范围内的最佳频率
标准接口实现了高度的互操作性和向后兼容性
全产品电压范围
行业标准的包装使密度迁移更容易
支持 - NOR产品拥有30年的美光行业领先技术专长
扩展的温度范围 - 包括汽车 - 提供跨应用的选项
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | N25Q00AA13G1240E | 其他分类 | IC FLASH 1G SPI 108MHZ 24LPBGA | 在线订购 | |
 | | N25Q00AA13GSF40G | 其他分类 | IC FLASH 1G SPI 108MHZ 16SOP | 在线订购 | |
| | N25Q256A83E1240E | 其他分类 | IC FLASH 256M SPI 24TPBGA | 在线订购 | |
| | N25Q128A11E1240E | 其他分类 | IC FLASH 128M SPI 24TPBGA | 在线订购 | |
| | N25Q512A13G1240E | 其他分类 | IC FLASH 512M SPI 24TPBGA | 在线订购 | |
 | | N25Q128A11EF840E | 其他分类 | IC FLASH 128M SPI 108MHZ 8VDFPN | 在线订购 | |
| | N25Q512A13GF840E | 其他分类 | IC FLASH 512M SPI 108MHZ 8VDFPN | 在线订购 | |
 | | N25Q128A11ESE40G | 其他分类 | IC FLASH 128M SPI 108MHZ 8SO | 在线订购 | |
| | N25Q128A11ESF40G | 其他分类 | IC FLASH 128M SPI 108MHZ 16SOP | 在线订购 | |
| | N25Q512A13GSF40G | 其他分类 | IC FLASH 512M SPI 108MHZ 16SOP2 | 在线订购 | |
| | N25Q128A13E1240E | 其他分类 | IC FLASH 128M SPI 24TPBGA | 在线订购 | |
| | N25Q128A13ESF40G | 其他分类 | IC FLASH 128M SPI 108MHZ 16SOP2 | 在线订购 | |
| | N25Q128A13EF840E | 其他分类 | IC FLASH 128M SPI 108MHZ 8VDFPN | 在线订购 | |
| | N25Q256A13E1240E | 其他分类 | IC FLASH 256M SPI 24TPBGA | 在线订购 | |
| | N25Q128A13ESE40E | 其他分类 | IC FLASH 128M SPI 108MHZ 8SOP2 | 在线订购 | |
 | | N25Q256A13EF840E | 其他分类 | IC FLASH 256M SPI 108MHZ 8VDFPN | 在线订购 | |
| | N25Q256A13ESF40G | 其他分类 | IC FLASH 256M SPI 108MHZ 16SOP2 | 在线订购 | |
| | N25Q128A13ESF40E | 其他分类 | IC FLASH 128M SPI 108MHZ 16SOP2 | 在线订购 |
应用案例
资讯芯片失效分析篇 —— 浅谈MICRON Memory ECC 功能2025-11-25
摘要：本文介绍了ECC（错误纠正码）在存储器中的关键作用，重点分析了其在NandFlash应用中的重要性。文章指出，ECC功能未开启可能导致系统误报"坏块"、启动失败或数据静默损坏等问题。通过Micron芯片案例，说明了BCH等算法在纠正多位错误上的优势，并给出工程实践建议：需严格匹配芯片规格与控制器配置，在量产前进行ECC压力测试。文章强调，正确配置ECC可显著提升系统可靠性，避免将软错误误判为硬件故障，是存储系统设计中不可忽视的关键环节。
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资讯美光科技出货全球首款基于1γ制程节点的LPDDR5X内存 突破性封装技术2025-06-06
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资讯Micron美光科技深耕中国20多年，全产业链布局2025-04-15
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岁末即至，捷报频传，美光科技凭借出色的人才战略，从数百家参选企业中脱颖而出，连续三年荣获前程无忧“多元和包容文化典范”及“中国典范雇主”荣誉称号 。 中国典范雇主评选由前程无忧发布，至今已连续举办17届，是国内最具有影响力的人力资源管理领域的选拔之一。 美光始终秉持“典范雇主”的标准，将持续打造更加开放包容、轻松的职场环境，美光期待每一位有志之士的加入。 美光中国区总经理吴明霞(Betty)寄语 “美光中国再次荣
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2024 年 3 月 4 日全球内存与存储解决方案领先供应商 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，纳斯达克股票代码：MU）近日宣布已开始量产其 HBM3E 高带宽内存解决方案。英伟达 H200 Tensor Core GPU 将采用美光 8 层堆叠的 24GB 容量 HBM3E 内存，并于 2024 年第二季度开始出货。美光通过这一里程碑式进展持续保持行业领先地位，并且凭借 HBM3E 的超凡性能和能效为人工智能（AI）解决方案赋能。 HBM3E：推动人工智能革命 随着人工智能需求的持续激增，内存解决
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