Microchip 的串行 SRAM 系列提供了一种几乎能在任何应用上添加外置 RAM 的方法，这种方法成本低廉、操作简单。 相比传统并行 SRAM，这些 8 引脚串行器件的功耗更低，所用 I/O 连接数量更少。 此外，利用这些器件，设计人员可以使用更小的微控制器，而无需仅仅为了获得更大的板载 RAM 而改用更大的器件。 零写入周期时间使这些器件非常适合于将图形、数据缓冲、数据记录、显示、数学、音频、视频和其它数据密集型功能卸载至独立 SRAM。 与标准 SPI 相比，SDI 和 SQI 允许使用 2 倍和 4 倍数据速率。 Microchip 的 SPI 兼容型串行 SRAM 器件有 64、256、512 和 1024 Kb 四种容量供用户选择。 这些器件以低功耗实现高速性能，非常适合需要更大 RAM 的嵌入式应用。
此外，这些 512 Kb 和 1 Mb 器件还具有 Vbat 引脚用于电池备份，因此当外部电池或超级电容器连接到该引脚时，使器件具有非易失性。 这些串行 NVSRAM 器件具备无限使用寿命和瞬时写功能，对于诸如量表、黑盒和数据记录器之类应用特别有用。