
SPI 串行 SRAM 和 NVSRAM 器件

Microchip 的 SRAM 和 NVSRAM 系列(SPI Serial SRAM and NVSRAM Devices)提供了一种轻松添加外部 RAM 的方式
发布时间:2018-06-14
Microchip 的串行 SRAM 系列提供了一种几乎能在任何应用上添加外置 RAM 的方法,这种方法成本低廉、操作简单。 相比传统并行 SRAM,这些 8 引脚串行器件的功耗更低,所用 I/O 连接数量更少。 此外,利用这些器件,设计人员可以使用更小的微控制器,而无需仅仅为了获得更大的板载 RAM 而改用更大的器件。 零写入周期时间使这些器件非常适合于将图形、数据缓冲、数据记录、显示、数学、音频、视频和其它数据密集型功能卸载至独立 SRAM。 与标准 SPI 相比,SDI 和 SQI 允许使用 2 倍和 4 倍数据速率。 Microchip 的 SPI 兼容型串行 SRAM 器件有 64、256、512 和 1024 Kb 四种容量供用户选择。 这些器件以低功耗实现高速性能,非常适合需要更大 RAM 的嵌入式应用。
此外,这些 512 Kb 和 1 Mb 器件还具有 Vbat 引脚用于电池备份,因此当外部电池或超级电容器连接到该引脚时,使器件具有非易失性。 这些串行 NVSRAM 器件具备无限使用寿命和瞬时写功能,对于诸如量表、黑盒和数据记录器之类应用特别有用。
SPI 串行 SRAM 和 NVSRAM 器件特性
低功耗 CMOS 技术:4 μA 最大待机电流
标准 4 引脚 SPI 接口:芯片选择、数据输入、数据输出和时钟
无限写入存储器、零写入时间
提供备用电池(512 Kb、1 Mb)
32 字节页面
高速 SDI (2 x) 和 SQI (4 x) 模式支持,高达 80 Mb/s
工业温度范围:-40°C 至 +85°C
小型 8 引线 SOIC、TSSOP 和 PDIP 封装
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | | 23K256-I/SN | SRAM存储器-存储器 | 23K256是一款256Kbit的低功耗SPI串行SRAM,支持32字节页面模式,具有灵活的工作模式,包括字节读写、页面模式和顺序模式。工作电压范围为2.7V至3.6V,适用于工业温度范围(-40°C至+85°C)。 | ¥11.87817 | 在线订购 |
![]() | | 23K640-I/SN | SRAM存储器-存储器 | ¥6.83104 | 在线订购 | |
![]() | | 23K640-I/ST | SRAM存储器-存储器 | 23K640是64-Kbit低功耗CMOS技术的SPI串行SRAM,支持最高20MHz时钟频率,具有32字节页模式和灵活的操作模式。支持工业温度范围(-40°C至+85°C)。封装形式包括PDIP、SOIC和TSSOP。 | ¥7.20087 | 在线订购 |
![]() | | 23LC512-I/P | SRAM存储器-存储器 | ¥17.00144 | 在线订购 | |
![]() | | 23K256-I/ST | SRAM存储器-存储器 | 23K256-I/ST 是一款256Kb的低功耗串行SRAM,通过SPI总线进行访问。支持32字节的页模式操作,工作电压为2.7-3.6V,适用于工业级温度范围(-40℃至+85℃)。采用8引脚TSSOP封装。 | ¥12.23713 | 在线订购 |
![]() | | 23K256-I/P | SRAM存储器-存储器 | 23K256 是一款256-Kbit SPI Bus Low-Power Serial SRAM,支持32字节页模式和顺序模式读写操作,具有低功耗CMOS技术。 | ¥12.32414 | 在线订购 |
| | 23A512-I/ST | SRAM存储器-存储器 | ¥17.27667 | 在线订购 | ||
![]() | | 23A256-I/ST | SRAM存储器-存储器 | ¥12.05221 | 在线订购 | |
![]() | | 23A512-I/SN | MRAM磁性随机存储器-存储器 | IC SRAM 512KBIT SPI/QUAD 8SOIC | ¥16.45757 | 在线订购 |
![]() | | 23A256-I/SN | SRAM存储器-存储器 | 23A256 是一款256-Kbit SPI Bus Low-Power Serial SRAM,支持32字节页模式和顺序模式读写操作,具有低功耗CMOS技术。 | ¥11.87817 | 在线订购 |
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