意法半导体的低压MOSFET是DC / DC转换器和电机控制应用中开关拓扑效率的关键因素。例如，对于同步降压转换器，高频开关损耗的主要贡献是高侧（HS）FET（控制FET）中的开关损耗和低侧（LS）FET（同步FET）中的导通损耗。ST的STripFET V技术具有最佳的开关品质因数（R DS（上）* Qg）因此是HS的理想选择。此外，STripFET VI DeepGATE™具有每个区域最低的RDS（on）值之一，因此对LS更好。ST提供PowerFLAT™封装的一系列30伏（H5和H6）和40伏（F5和F6）FET，结合最新STripFET技术的特性，用于HS和LS组合，具有更高的功率密度和热容量PowerFLAT包装。