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    市场领先的能效技术

    市场领先的能效技术

    英飞凌的能效技术产品(Market Leading Energy Efficiency Technologies)对未来的能源供应至关重要

    发布时间:2018-06-14

    英飞凌的产品以其可靠性,卓越品质以及创新和领先的技术而脱颖而出。

    我们的目标是通过推动创新的电源架构,功率密度领先以及为笔记本电脑,服务器,台式机和显卡,消费类SMPS,笔记本电脑适配器,PC银盒,服务器电源提供最佳性价比的系统,为客户创造竞争优势。 ,电动汽车,太阳能,电信供应,工业焊接,感应烹饪和空调。

    500 V CoolMOS™CE功率MOSFET:超结技术可提供低导通和开关损耗,并可轻松控制开关行为。

    40 V / 60 V OptiMOS™:英飞凌的低压功率MOSFET针对开关模式电源(SMPS)中的同步整流进行了优化,是电机控制,太阳能微型逆变器和快速开关DC / DC转换器等应用的理想选择。

    650 V thinQ!™SiC二极管第5代:采用SiC肖特基势垒二极管的新型前沿技术,可降低冷却要求,从而提高效率,降低EMI,提高系统可靠性,降低成本和尺寸优势。

    RC驱动和RC驱动快速: IGBT技术为永磁同步和无刷直流电机驱动器的成本优化(RC驱动)解决方案提供出色的性能。RC-drive Fast专为低功率电机而开发。


    40 V / 60 V OptiMOS™
    图片数据手册产品型号产品分类产品描述价格操作
    BSC097N06NSATMA1MOSFETs-晶体管MOSFET N-CH 60V 46A TDSON-8¥2.25400在线订购
    BSC034N06NSATMA1MOSFETs-晶体管MOSFETN-CH60V100A8TDSON¥7.43820在线订购
    BSC031N06NS3GATMA1MOSFETs-晶体管MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8¥21.57078在线订购
    BSC066N06NSATMA1MOSFETs-晶体管MOSFET N-CH 60V 64A 8TDSON¥4.94750在线订购
    500 V CoolMOS™ CE Power MOSFET
    图片数据手册产品型号产品分类产品描述价格操作
    IPD70R950CEAUMA1MOSFETs-晶体管MOSFET N-CH 700V 7.4A TO252-3在线订购
    IPD50R500CEBTMA1MOSFETs-晶体管MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO252在线订购
    IPD50R800CEATMA1MOSFETs-晶体管MOSFET N CH 500V 5A TO252在线订购
    IPD50R650CEATMA1MOSFETs-晶体管MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252在线订购
    IPD60R800CEATMA1MOSFETs-晶体管MOSFET N-CH 600V TO-252-3在线订购
    650 V thinQ SiC Diodes Generation 5
    图片数据手册产品型号产品分类产品描述价格操作
    IDW30G65C5FKSA1整流二极管-二极管DIODE SCHOTTKY 650V 30A TO247-3在线订购
    IDW40G65C5FKSA1整流二极管-二极管DIODE SCHOTTKY 650V 40A TO247-3在线订购
    IDH03G65C5XKSA1整流二极管-二极管DIODE SCHOTTKY 650V 3A TO220-2在线订购
    IDH04G65C5XKSA1整流二极管-二极管DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220-2在线订购
    IDW20G65C5FKSA1整流二极管-二极管DIODE SCHOTTKY 650V 20A TO247-3在线订购
    RC-Drive RC-Drive Fast
    图片数据手册产品型号产品分类产品描述价格操作
    IKD06N60RFATMA1MOSFETs-晶体管IGBT 600V 12A 100W PG-TO252-3¥4.86080在线订购
    IKD03N60RFATMA1MOSFETs-晶体管IGBT 600V 6.5A 53.6W TO252¥4.51980在线订购
    IKD04N60RFATMA1MOSFETs-晶体管IGBTPRODUCTS¥10.01010在线订购
    IKD03N60RFMOSFETs-晶体管IGBT 600V 5A 53.6W TO252-3¥3.69320在线订购
    IKD10N60RFATMA1MOSFETs-晶体管IGBT Trench Field Stop 600V 20A 150W Surface Mount PG-TO252-3¥6.42390在线订购

    应用案例

    • 资讯Al焊盘与BGA焊接的区别解读2023-08-30

      如果焊料是锡和银,一个是银多锡少的银锡焊料,另一个是锡多银少的锡基焊料。如果是银很多,银和铝存在金属间化合物,平时的铝焊盘上打金线,铝和金之间也有金属间化合物。

    • 资讯英飞凌科技推出650V H7型号,扩展第七代TRENCHSTOP IGBT系列2023-08-29

      H7 IGBT器件采用EC7复合封装二极管,采用先进的发射极控制设计,再加上高速技术,可满足对环保和高效电源解决方案不断增长的需求。

    • 资讯英飞凌(Infineon)IGBT管前10热门型号2023-08-25

      Infineon(英飞凌)作为一家全球领先的半导体解决方案提供商,其IGBT管产品在市场上备受瞩目。下面将介绍英飞凌IGBT管前10热门型号:一、英飞凌IGBT管前10热门型号:1、IKW40N120H3:Infineon的IKW40N120H3是一款高压IGBT,适用于高效能和高可靠性的应用。它具有1200V的电压额定值和40A的电流额定值,能够提供低导通

    • 资讯英飞凌XENSIV™ PAS CO2传感器符合国际绿色建筑认证标准WELL和LEED对性能的要求2023-08-25

      英飞凌科技射频和传感器业务负责人Jan-Hendrik Sewing表示:“环境传感是我们日益增长的软件驱动传感器解决方案的支柱。我们的XENSIV PAS CO2传感器解决方案为居住者提供更健康环境,提高通风系统的运行效率,确保环境舒适性,同时大幅减少能源需求和二氧化碳排放。”

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      8月22日,由香港科学园、香港科技大学及英飞凌主办的微电子生态系统大会圆满落下帷幕,云帆瑞达作为英飞凌的优秀合作伙伴受邀出席,向观众展示了基于24G毫米波雷达技术的轨迹人数统计雷达方案。该款雷达采用24G毫米波雷达技术,具有高精度、低功耗、高稳定性等特点,实现范围内的人员轨迹追踪,同时监控人数达到3人,具有很强的运动和静态人员的同步感知能力,能够精准探测出人

    • 资讯防患于未然!全球芯片短缺 大众直接与恩智浦、英飞凌签署供货协议2023-08-31

      8 月 24 日消息,日前,据外媒报道,大众汽车宣布:当下全球芯片面临着短缺的情况,所以,大众汽车已经向恩智浦半导体、英飞凌科技和瑞萨电子,等 10 家芯片厂商采购了十分重要的芯片。 大众汽车乘用车品牌的采购负责人 Dirk Grosse-Loheide 提到:" 目前,全球芯片市场容量不足,我们必须有所行动。" 随着电动汽车产量的增加和市场对复杂软件的需求上涨,汽车行业对芯片的需求急剧上升。但是,由于建设芯片工厂的工作比较复杂,所以供应的跟进速

    • 资讯基于Infineon XMC1302+6EDL04N02PR+BSC016N06的700W电动扳手解决方案2023-04-19

      品佳集团推出基于英飞凌XMC1302-T038F032微控制器的电动扳手解决方案,针对电动扳手使用的BLDC电机无位置传感器控制。

    • 资讯基于Infineon IM564-X6D BLDC变频控制应用方案2023-03-21

      集成了一个 CoolMOS™ 功率 MOSFET 和一个用于 PFC 级的快速开关二极管,可将 PFC 开关频率提高到 150kHz,从而显著减小电感器尺寸,以实现高功率密度和小系统尺寸,并且能够与有源 PFC 结合使用,快速制作各种变频电机控制系统的原型,例如风扇、泵和压缩机。

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