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市场领先的能效技术
英飞凌的能效技术产品（Market Leading Energy Efficiency Technologies）对未来的能源供应至关重要
发布时间：2018-06-14
英飞凌的产品以其可靠性，卓越品质以及创新和领先的技术而脱颖而出。
我们的目标是通过推动创新的电源架构，功率密度领先以及为笔记本电脑，服务器，台式机和显卡，消费类SMPS，笔记本电脑适配器，PC银盒，服务器电源提供最佳性价比的系统，为客户创造竞争优势。 ，电动汽车，太阳能，电信供应，工业焊接，感应烹饪和空调。
500 V CoolMOS™CE功率MOSFET：超结技术可提供低导通和开关损耗，并可轻松控制开关行为。
40 V / 60 V OptiMOS™：英飞凌的低压功率MOSFET针对开关模式电源（SMPS）中的同步整流进行了优化，是电机控制，太阳能微型逆变器和快速开关DC / DC转换器等应用的理想选择。
650 V thinQ！™SiC二极管第5代：采用SiC肖特基势垒二极管的新型前沿技术，可降低冷却要求，从而提高效率，降低EMI，提高系统可靠性，降低成本和尺寸优势。
RC驱动和RC驱动快速： IGBT技术为永磁同步和无刷直流电机驱动器的成本优化（RC驱动）解决方案提供出色的性能。RC-drive Fast专为低功率电机而开发。
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | BSC097N06NSATMA1 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 60V 46A TDSON-8 | ￥12.96912 | 在线订购 |
 | | BSC034N06NSATMA1 | MOSFETs-晶体管 | MOSFETN-CH60V100A8TDSON | ￥6.67659 | 在线订购 |
| | BSC031N06NS3GATMA1 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 | 在线订购 | |
| | BSC066N06NSATMA1 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 60V 64A 8TDSON | ￥4.01391 | 在线订购 |
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | IPD70R950CEAUMA1 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 700V 7.4A TO252-3 | 在线订购 | |
 | | IPD50R500CEBTMA1 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO252 | 在线订购 | |
 | | IPD50R800CEATMA1 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N CH 500V 5A TO252 | 在线订购 | |
| | IPD50R650CEATMA1 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252 | 在线订购 | |
| | IPD60R800CEATMA1 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 600V TO-252-3 | 在线订购 |
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | IDW30G65C5FKSA1 | 整流二极管-二极管 | DIODE SCHOTTKY 650V 30A TO247-3 | 在线订购 | |
| | IDW40G65C5FKSA1 | 整流二极管-二极管 | DIODE SCHOTTKY 650V 40A TO247-3 | 在线订购 | |
 | | IDH03G65C5XKSA1 | 整流二极管-二极管 | DIODE SCHOTTKY 650V 3A TO220-2 | 在线订购 | |
 | | IDH04G65C5XKSA1 | 整流二极管-二极管 | DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220-2 | 在线订购 | |
| | IDW20G65C5FKSA1 | 整流二极管-二极管 | DIODE SCHOTTKY 650V 20A TO247-3 | 在线订购 |
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| | IKD06N60RFATMA1 | IGBT-晶体管 | 在线订购 | ||
| | IKD03N60RFATMA1 | IGBT-晶体管 | 在线订购 | ||
| | IKD04N60RFATMA1 | IGBT-晶体管 | IGBTPRODUCTS | ￥11.43277 | 在线订购 |
 | | IKD03N60RF | IGBT-晶体管 | 在线订购 | ||
| | IKD10N60RFATMA1 | IGBT-晶体管 | ￥4.36325 | 在线订购 |
应用案例
资讯英飞凌3.3kV SiC XHP2模块：重新定义高压牵引系统的性能标杆2025-11-27
在轨道交通、风电变流器等高压大功率应用中，提升功率密度和系统效率是关键挑战。传统硅基IGBT模块虽成熟可靠，但受限于材料特性，难以满足高频、高效的新需求。英飞凌推出的3.3kVCoolSiCMOSFETXHP2模块，结合创新的“.XT互连技术”，为高压牵引系统提供了更高性能的解决方案。模块核心优势：性能与可靠性01高电流密度与低损耗额定电流1000A，导通电
资讯安富利荣膺英飞凌多项年度大奖2025-11-26
2025年11月19日，在杭州举行的英飞凌颁奖活动上，安富利大中华区团队凭借其卓越的市场洞察、销售业绩以及对客户需求精准的理解与支持，不仅荣膺英飞凌“年度杰出业务合作伙伴”奖和“应用系统解决方案创新”奖，更收获英飞凌每个事业部颁发的多项荣誉——包括“汽车新产品定义突出贡献奖”、“大众市场新产品需求创造杰出奖”、“大众客户业务发展杰出奖”、“需求创造奖”及“JA客户杰出发展奖”等重要奖项。
资讯英飞凌EconoDUAL™ 3 CoolSiC™ MOSFET 1200V模块荣获2025全球电子成就奖2025-11-26
11月25日，英飞凌科技EconoDUAL3CoolSiCMOSFET1200V模块荣获2025年全球电子成就奖（WorldElectronicsAchievementAwards）年度功率半导体/驱动器奖项，再次彰显英飞凌在功率半导体领域的卓越实力和领先地位。英飞凌科技工业与基础设施业务市场经理刘倩出席颁奖典礼并领奖英飞凌EconoDUAL3CoolSiC
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近日，第三届英飞凌汽车创新峰会暨第十二届汽车电子开发者大会在苏州国际会议中心圆满举办。1500多位来自约700家公司的业界精英齐聚一堂，共同探讨智慧出行的无限可能。30多家产业链上下游的软硬件合作伙伴、工具厂商、分销商展示了最新的前沿解决方案。会议吸引了盖世汽车在内的近15家业内媒体，8万余观众观看大会直播。
资讯94亿颗！英飞凌汽车半导体放大招，推进汽车RISC-V生态和本地化战略2025-11-25
“2025 年，我们在汽车业务本土化征程上迈出了关键一步——覆盖从产品定义的深度、生态合作的广度，到量产交付的速度。面向未来，我们将继续夯实系统级的解决方案和广泛的产品组合，加强本土产品定义，深入洞察客户需求，拓展生态合作，完善本土生产布局，以更具竞争力的产品与解决方案，更好地服务中国市场和客户。” 英飞凌科技高级副总裁、英飞凌汽车业务大中华区负责人曹彦飞指出。
资讯MCU世界第一的英飞凌要猛攻AI了?2025-11-21
2025年，对英飞凌公司而言，不仅是凭借MCU元器件全球市占率登顶而载入史册的一年，更是其在行业周期性波动中，主动实施结构性转型、重构发展逻辑的关键一年。11月12日，这家“世界第一MCU厂商”发布了年度财务报告，引起广泛关注。 看似“平淡”的数据，一条“V型”业绩曲线，其实正悄然揭示这家MCU元器件巨头从“被动跟随”到“主动定义”、从“销售器件”到“输出系统”的蜕变。 V型业绩曲线背后:不只是复苏，更是结构转变的信号 2025财年，
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近日，第三届英飞凌汽车创新峰会暨第十二届汽车电子开发者大会圆满收官。本次盛会汇聚了来自约700家企业的1500余位业界精英，众人齐聚一堂，深度探讨智慧出行的无限可能。作为英飞凌重要战略合作伙伴，普华基础软件受邀出席英飞凌蒲公英俱乐部首届年会及2025英飞凌EEA扶光俱乐部研讨会，向与会嘉宾分享自身在车用操作系统开源方面的经验与实践成果，并就开源生态共建、技术创新突破等话题展开交流。
资讯普华基础软件亮相第三届英飞凌汽车创新峰会2025-11-20
11月13日，第三届英飞凌汽车创新峰会暨第十二届汽车电子开发者大会圆满召开。作为英飞凌重要生态合作伙伴，普华基础软件深度参与大会同期多项重要环节，与汽车产业链生态伙伴齐聚一堂，聚焦芯片与汽车产业的深度融合，开源车用操作系统生态共建等行业热门议题，展开深入交流。
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