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PowerPAIR®
Vishay Siliconix的双非对称功率MOSFET系列（PowerPAIR®）
发布时间：2018-06-14
日前，Vishay Siliconix公司正在扩大其在PowerPAIR ®系列双不对称功率MOSFET的低电压DC / DC转换器应用的。这些新器件扩大系列的电压和封装尺寸的选项，使得Vishay的唯一供应商提供3毫米×3毫米，6个毫米×3.7毫米，和6mm×5mm的在PowerPAIR ®形式因素。
在威世Siliconix公司在PowerPAIR设备®家庭帮助通过在单个包装内提供两个MOSFET的优化组合，以简化高效同步降压单相和多相DC / DC转换器的设计。它们的不对称配置通过允许增加低端MOSFET的尺寸以降低传导损耗来改善性能。TrenchFET的组合®第三代技术和在PowerPAIR的非对称性质®允许Vishay的导通电阻，最大达到下降到1.3米Ω用于低侧MOSFET的同步，比可比较的对称设备几乎低50％。
通过使设计者两个共封装MOSFET，在PowerPAIR ®器件简化PCB布局和降低寄生电感，这可有助于减少开关损耗和提高工作效率。新在PowerPAIR ®设备将有助于促进在广泛的电子产品，包括笔记本电脑，台式电脑，服务器，游戏机，机顶盒，电视监视器和调制解调器更有效地利用能源和空间的。
PowerPAIR®特性
简化布局
最大电流可达> 30A
导通电阻低至1.3mΩ
高压侧和低压侧MOSFET采用紧凑型封装
三种尺寸选择：6 mm x 5 mm，6 mm x 3.7 mm和3 mm x 3 mm
与两个分立MOSFET相比，降低了解决方案空间，节省了间隙和标签空间
减少PCB走线的寄生电感，提高效率并减少振铃
PowerPAIR®应用
VRM的
电源模块
显卡
笔记本电脑中的系统电源，POL，低电流DC / DC和同步降压
服务器
游戏机
笔记本电脑
电信设备
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | SIZ918DT-T1-GE3 | MOSFETs-晶体管 | ￥6.13199 | 在线订购 | |
 | | SIZ730DT-T1-GE3 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR | 在线订购 | |
 | | SIZ902DT-T1-GE3 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR | ￥5.00544 | 在线订购 |
 | | SIZ728DT-T1-GE3 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET 2N-CH 25V 16A 6-POWERPAIR | 在线订购 | |
 | | SIZ914DT-T1-GE3 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET2N-CH30V16APWRPAIR | 在线订购 | |
 | | SIZ916DT-T1-GE3 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR | 在线订购 | |
 | | SIZ340DT-T1-GE3 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET - 阵列 2 个 N 通道（半桥） 30V 30A，40A 16.7W，31W 表面贴装型 8-Power33（3x3） | ￥3.06218 | 在线订购 |
| | SIZ790DT-T1-GE3 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR | 在线订购 | |
| | SIZ900DT-T1-GE3 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR | 在线订购 | |
 | | SIZ300DT-T1-GE3 | MOSFETs-晶体管 | 在线订购 | ||
 | | SIZ710DT-T1-GE3 | MOSFETs-晶体管 | 在线订购 | ||
 | | SIZ702DT-T1-GE3 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR | 在线订购 | |
| | SIZ704DT-T1-GE3 | MOSFETs-晶体管 | 在线订购 | ||
| | SIZ904DT-T1-GE3 | MOSFETs-晶体管 | 在线订购 | ||
| | SIZ910DT-T1-GE3 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERPAIR | 在线订购 | |
| | SIZ920DT-T1-GE3 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET 2N-CH 30V 40A PWRPAIR | 在线订购 |
应用案例
资讯98%能效！PowerPAIR® 3x3FS封装，30V对称双通道MOSFET2023-02-03
Vishay TrenchFET Gen V MOSFET 节省空间型器件所需 PCB 空间比 PowerPAIR 6x5F 封装减少 63% 有助于减少元器件数量并简化设计 Vishay 推出两款新型 30 V 对称双通道 n 沟道功率 MOSFET，将高边和低边 TrenchFET Gen V MOSFET 组合在 3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR 3x3FS 单体封装中。 Vishay Siliconix SiZF5300DT 和 SiZF5302DT 适用于计算和通信应用功率转换，在提高能效的同时，减少元器件数量并简化设计。 日前发布的双通道 MOSFET 可用来取代两个 PowerPAK 1212 封装分立器件，节省 50% 基板空间，同时
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