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    XLamp® XP-E2 LEDs

    XLamp® XP-E2 LEDs

    Cree的XP-E2(XLamp® XP-E2 LEDs),为XP设计提供高性能和低系统成本

    发布时间:2018-06-14

    Cree的 XLamp XP-E2 LED 基于SC³Technology™平台,比原来的XP-E LED提供高出40%的每瓦流明和200%的每流明流明。XP-E2在85°C下具有特征和分档功能,利用了XP的占地面积,与XP-E和XP-G在光学上兼容,为现有的XP设计提供了即插即用的性能增强,缩短了产品上市时间。XP-E2 LED在久经考验的XP-E封装中结合了高光输出,可靠性和高效率,在350 mA时提供高达128 LPW,在350 mA时提供85°C或143 LPW,在冷白色(6000 K)时提供25°C 。XP-E2 LED可以实现广泛的高流明应用,从室内和室外到便携式和灯泡改造。


    XLamp® XP-E2 LEDs特性

    • 提供白色,户外白色,80,85和90 CRI白色

    • ANSI兼容的色度箱

    • 最大驱动电流:1 A.

    • 低热阻:9°C / W.

    • 宽视角:110°

    • 在≤30°C / 85%RH下无限制的使用寿命

    • 可回流焊接 - JEDEC J-STD-020C兼容

    • 电中性热路径

    XP-E2
    图片数据手册产品型号产品分类产品描述价格操作
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    XPEBGR-L1-0000-00D01发光二极管/LED-光电器件LED XLAMP XPE2 GREEN 528NM 2SMD¥8.12083在线订购
    XPEBGR-L1-0000-00C02发光二极管/LED-光电器件LED XLAMP XPE2 GREEN 525NM 2SMD在线订购
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    XPEBWT-P1-0000-008E7发光二极管/LED-光电器件LED XLAMP WARM WHITE 3000K 2SMD¥5.39313在线订购
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    应用案例

    • 资讯CREE(Wolfspeed)的垄断与衰落及国产碳化硅衬底崛起的发展启示2025-03-04

      中国碳化硅衬底材料从受制于人到实现自主突破的历程,以及由此对国产碳化硅功率半导体企业的启示,可以归纳为以下几个关键点:  一、从垄断到突破:中国碳化硅材料的逆袭之路 CREE(Wolfspeed)的垄断与衰落 技术垄断期:Wolfspeed(原CREE)曾长期主导全球碳化硅衬底市场,其物理气相传输法(PVT)生长技术及6英寸衬底工艺占据绝对优势。2018年特斯拉采用碳化硅后,Wolfspeed市值一度飙升,但此后因技术迭代缓慢、成本高企及中国企业的竞争,市值暴

    • 资讯国芯思辰|基本半导体​1200V碳化硅肖特基二极管B1D30120HC(替代科锐C4D30120D)助力车载充电机二次侧整流2022-07-20

      车载充电机可实现交流输入(85VAC~265VAC)/直流输出(200VDC-750VDC)输出的功能,其电路的核心架构通常由整流、PFC升压、LLC逆变、输出整流四部分组成。通常传统的Si器件由于其反向恢复和开关频率的限制,已经不能满足车载充电机对效率的需求,本文针对车载充电机的二次侧整流部分推荐基本半导体的1200V碳化硅肖特基二极管B1D30120HC(替代科锐C4D30120D),该二极管

    • 资讯CREE(科锐)公司的历史和产品变迁2023-07-10

      说到GaN(氮化镓)产品,不得不说到一家美国公司:CREE科锐,可以说,讲GaN材料应用到极致,并产生商业价值最大化,全球没有第二家公司超越。 经常听到一些芯片行业朋友说到CREE公司和Wolfspeed公司,有点混淆。 CREE公司于1987年成立于美国北卡罗莱纳,1989年以LED灯珠商用化迅速抢占全球市场,由于当时的市场主要还是白炽灯的时代,而LED灯珠以超高的能效比,全球市场需求迅速爆发,仅4年时间即实现美国NASDAQ上市。 由于LED灯珠的制造工艺,涉及到SiC材料

    • 资讯国芯思辰|基本半导体低开关损耗碳化硅肖特基二极管B1D02065E(替代C3D02065E)助力LED电源效率的提升2022-08-26

      显示屏电源是LED显示屏的重要组成部分,主要用来给显示屏发光二极管提供必要的工作电流,保证屏体正常显示。LED电源框图如图所示。LED电源框图整流器是LED电源转换模块的核心元器件。为了更好地将交流电转换为直流电,设计师更倾向于碳化硅肖特基二极管整流器,因其具有极快的开关速度、超低的正向电压降、极低的反向恢复时间、低泄漏和高结温能力。基本半导体碳化硅肖特基二

    • 资讯CGHV14250 L波段放大器CREE2023-04-24

      Wolfspeed的CGHV14250是种致力于高效化设计氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT);高增益和宽带宽性能;从而使CGHV14250成为1.2–1.4GHzL波段雷达放大器应用领域的最佳选择。CGHV14250晶体管适合于从UHF到1600MHz的特殊频率段技术应用。封装的选项有陶瓷/金属法兰和药丸式封装。 特征 FET调谐范围UHF至1800MHz 330W常见额定功率 18dB功率增益值 77%常见栅极高效率 内部预适配输入;前所未有的输入输出 技术应用 L波段雷达放大器 CREE(科锐)成立于1987年,CREE科锐具备30多

    • 资讯CGHV60170D L波段放大器CREE2023-04-11

      Wolfspeed的CGHV60170D是款氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与硅或砷化镓相比较,CGHV60170D具备更优越的使用性能;包含更高击穿场强;更高饱和电子偏移速率;和更高传热性。与Si和GaAs晶体管相比较,CGHV60170D具有更强的功率密度和更宽的带宽。 特征 65%的常见功率附带高效率 170W经典PSAT 50伏操控 高击穿场强 高至6GHz的操作频率 应用 宽带放大器 战略通讯设备 卫星通讯 工业化,科学和医疗放大器电路 ClassA;AB;主要用于OFDM的线型放大器电路;无线频分多

    • 资讯L波段放大器CGH40120介绍2023-04-04

      Wolfspeed的CGH40120是前所未有的;氮化镓(GaN);高电子迁移率晶体管(HEMT)。CGH40120选用28伏电源供应;具备通用型;各种射频和微波应用宽带宽解决方案。GaNHEMT具备高效化;高增益和宽带宽宽性能;使CGH40120成为了线型和压缩功率放大电路的最佳选择。CGH40120选用金属陶瓷丸和法兰盘封装。 特征 高至2.5GHz的操作 1.0GHz时的20dB小信号增益值 2.0GHz时的15dB小信号增益值 120W典型PSAT PSAT效率为70% 28伏操控 应用 2路专用型无线通信 宽带放大器 蜂窝基础设施建设 测试设

    • 资讯C波段功率放大器CMPA5259025介绍2022-09-22

      Wolfspeed的CMPA5259025F专门为实现高效率而设计氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT);高增益;和宽带宽性能;从而使得CMPA5259025F特别适合5.2–5.9GHz雷达放大器技术应用。CMPA5259025F选用陶瓷/金属法兰封装。 特征 30dB小信号增益值 PSAT的效率为50% 电压高达28V 高击穿电压 应用 雷达放大器 CREE(科锐)成立于1987年,CREE科锐具备30多年的宽带GAP原材料和创新产品,CREE科锐是一个完整的设计合作伙伴,符合射频的需求,CREE科锐为行业内技术领先的机器设备提供更强的

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