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低RDS（ON）P沟道MOSFET
东芝用于便携式设备的低RDS（ON）P沟道MOSFET（Low RDS(ON) P-Channel MOSFET）：SSM6J505NU，SSM6J501NU，SSM6J503NU
发布时间：2018-06-14
随着移动产品的电池容量增加，充电电流也增加。东芝的产品采用最新的UMOS VI工艺，提供小型2.0 mm×2.0 mm×0.75 mm封装（UDFN6B）产品，可实现低导通电阻并允许大电流。它非常适合作为智能手机等移动设备的充电开关。
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
_tmb.jpg) | | SSM6J505NU,LF | MOSFETs-晶体管 | MOSFET P CH 12V 12A UDFN6B | 在线订购 | |
| | SSM6J503NU,LF(T | MOSFETs-晶体管 | MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A | ￥5.91130 | 在线订购 |
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