超小型封装：采用0.8至0.8 mm微型BGA和SDFN4封装，节省电路板空间。

低压差特性：新一代CMOS工艺的低导通电阻V IN -V OUT = 2.1 mV（*）（典型值），2.5 V输出，I OUT = 300 mA，TCR3DM系列。

低噪声输出特性：最适合RF或模拟电源。

高速下出色的负载瞬态响应：所有新一代产品都具有快速响应电路。

各种封装和输出电压阵容： 5种封装，可选小型和标准型。输出电压为固定型，宽输出范围为1.0至5.0 V，总共超过120项。