这款安森美半导体的 40 V N沟道PowerTrench MOSFET 专为提高整体效率而设计，可最大限度地减少使用同步或传统开关PWM控制器的DC / DC转换器的开关节点振铃。它针对低栅极电荷，低R DS（ON），快速开关速度和体二极管反向恢复性能进行了优化。