
FDMS8333LPowerTrench®

安森美半导体的40 V N沟道PowerTrench MOSFET(FDMS8333L PowerTrench®)
发布时间:2018-06-14
这款安森美半导体的 40 V N沟道PowerTrench MOSFET 专为提高整体效率而设计,可最大限度地减少使用同步或传统开关PWM控制器的DC / DC转换器的开关节点振铃。它针对低栅极电荷,低R DS(ON),快速开关速度和体二极管反向恢复性能进行了优化。
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | | FDMS8333L | MOSFETs-晶体管 | 此 N 沟道 MOSFET 专用于提高 DC-DC 转换器的总能效以及最大程度降低其开关节点噪声,可以使用同步开关 PWM 控制器,也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化,可实现低门极电荷、低 RDS(ON)、快速开关和体二极管逆向恢复功能。 | ¥3.58198 | 在线订购 |
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