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采用 WLCSP 封装的 MOSFET
Nexperia 采用 µCSP 封装的最小解决方案（MOSFETs in WLCSP Packaging）提供低 RDS(ON)，具有理想的 RDS(ON) 空间比，适用于便携式应用
发布时间：2018-06-13
Nexperia N 沟道和 P 沟道 MOSFET 采用 WLCSP 封装，WLCSP4 封装具有四个引脚，WLCSP6 封装具有六个引脚。这些产品可提供目前市场上最低的每 mm² RDS(ON)，同时保持超过 2 kV 的 ESD 保护。
采用 WLCSP 封装的 MOSFET特性
低 RDS(ON) 低至 15 mΩ
ID 高达 9.6 A
低电压驱动 (VGS(th) = 0.6 V（典型值）
VDS = 12 V 至 20 V；VGS = 8 V
WLCSP4 超小型 0.8 mm x 0.8 mm 封装
WLCSP6 超小型 1.5 mm x 1.0 mm 封装
高度：低至仅 0.35 mm
采用 WLCSP 封装的 MOSFET应用
用于智能手机的负载开关
电池开关
LED 驱动器
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | PMCM4402UPEZ | MOSFETs-晶体管 | 20 V，P沟道沟道MOSFET WLCSP | 在线订购 | |
 | | PMCM4401UNEZ | MOSFETs-晶体管 | MOS管 N-channel Id=5.4A VDS=20V WLCSP4_0.81X0.81MM_SM | 在线订购 | |
 | | PMCM6501UNEZ | MOSFETs-晶体管 | MOS管 N-channel Id=8.7A VDS=20V WLCSP6_1.51X1.01MM_SM | 在线订购 | |
 | | PMCM6501UPEZ | MOSFETs-晶体管 | MOS管 P-channel Id=7.3A VDS=20V WLCSP6_1.51X1.01MM_SM | ￥2.30900 | 在线订购 |
 | | PMCM6501VNEZ | MOSFETs-晶体管 | MOS管 N-channel Id=9.6A VDS=12V WLCSP6_1.51X1.01MM_SM | 在线订购 | |
 | | PMCM4401VPEZ | MOSFETs-晶体管 | MOS管 P-channel Id=4.9A VDS=12V WLCSP4_0.81X0.81MM_SM | 在线订购 | |
| | PMCM4401VNEAZ | MOSFETs-晶体管 | MOS管 N-channel Id=6A VDS=12V WLCSP4_0.81X0.81MM_SM | 在线订购 | |
 | | PMCM6501VPEZ | MOSFETs-晶体管 | MOS管 P-channel Id=8.2A VDS=12V WLCSP6_1.51X1.01MM_SM | 在线订购 | |
 | | PMCM650CUNEZ | MOSFETs-晶体管 | MOS管 N-channel Id=5.3A VDS=20V WLCSP6_1.51X1.01MM_SM | 在线订购 |
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