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MDmesh™V功率MOSFET
意法半导体的MDmesh™V（MDmesh™ V Power MOSFETs）使以前的最低RDS（上）记录黯然失色
发布时间：2018-06-14
意法半导体的 MDmesh™V功率MOSFET产品系列提供-500 V至1500 V的各种击穿电压，低栅极电荷和低导通电阻，并结合最先进的封装。意法半导体针对高压和低压MOSFET的工艺技术提高了功率处理能力，从而实现了高效解决方案。
MDmesh™V功率MOSFET特性
-500 V至1500 V击穿电压范围
适用于650 V功率MOSFET的世界上最佳RDS （on）区域（TO-247封装中为0.029Ω）
改善栅极电荷和降低功耗，以满足当今具有挑战性的效率要求
适用于部分产品系列的固有快速体二极管选项
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | STY145N65M5 | MOSFETs-晶体管 | N沟道650 V、0.012 Ohm典型值、138 A MDmesh M5功率MOSFET，Max247封装 | ￥316.49161 | 在线订购 |
;;2_tmb.jpg) | | STD18N65M5 | MOSFETs-晶体管 | N沟道650 V、0.198 Ohm典型值、15 A MDmesh M5功率MOSFET，DPAK封装 | ￥12.84780 | 在线订购 |
 | | STL57N65M5 | MOSFETs-晶体管 | N沟道650 V、0.061 Ohm典型值、22.5 A MDmesh M5功率MOSFET，PowerFLAT 8x8 HV封装 | ￥108.23018 | 在线订购 |
 | | STW88N65M5 | MOSFETs-晶体管 | N沟道650 V、0.024 Ohm典型值、84 A MDmesh M5功率MOSFET，TO-247封装 | ￥118.64689 | 在线订购 |
应用案例
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