FDMQ86530L解决方案由四个60 V N沟道MOSFET组成，采用安森美半导体的 GreenBridge™技术，可提高传统二极管桥的导通损耗和效率，使功耗提高十倍。该器件采用散热增强，节省空间的4.5 mm x 5.0 mm MLP 12引脚封装，无需散热器，从而实现了紧凑的设计，可在12 V AC和24 V AC应用中提高功率转换效率。

高清晰度，紧凑型，有源桥接应用（如网络摄像机）产生的过多热量会导致图像质量问题。同样，热感应噪声会影响系统的图像传感器，这也会降低相机的图像质量。调节热波动的典型散热解决方案可能使这些复杂的设计进一步复杂化，增加了元件数量和杂乱的电路板空间。安森美半导体的FDMQ86530L 60 V四通道MOSFET为设计人员提供了一体化封装，以帮助应对这些关键设计挑战。