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    SiC肖特基势垒二极管

    SiC肖特基势垒二极管

    Microsemi Power Products推出用于工业应用的SiC肖特基势垒二极管(SiC Schottky Barrier Diodes)

    发布时间:2018-06-14

    Microsemi Power Products是一家领先的半导体解决方案供应商,其功率,安全性,可靠性和性能不同,推出了基于碳化硅(SiC)材料和技术的新型1200伏(V)肖特基二极管系列。这些二极管适用于广泛的工业应用,包括太阳能逆变器,焊接,等离子切割机,快速车辆充电,石油勘探以及其他功率密度,更高性能和可靠性非常重要的高功率,高压应用。


    SiC肖特基势垒二极管特性

    • 零恢复时间(t rr)

    • TO-247封装或D3PAK封装

    • 低正向电压

    • 漏电流低

    SiC肖特基势垒二极管应用

    1. 功率因数校正(PFC)

    2. 反并联二极管

      开关模式电源

      逆变器

    SiC Schottky Barrier Diodes
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