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    串行 F-RAM™ 非易失性存储器

    串行 F-RAM™ 非易失性存储器

    Cypress Semiconductor 的串行 F-RAM 非易失性存储器(Serial F-RAM™ Nonvolatile Memory)具有快速写入的速度、近乎无限的使用寿命和极低的能量消耗

    发布时间:2018-06-14

    Cypress Semiconductor 的串行 F-RAM(铁电体 RAM)存储器集非易失性数据存储与快速 RAM 于一体。 串行 F-RAM 的存储密度在 4 Kb 至 4 Mb 之间,采用 SPI 和 I²C 接口以及行业标准封装。 串行 F-RAM 相对传统非易失性存储器具有三个明显优势:写入速度快(无写入延迟)、近乎无限的使用寿命以及低能耗。
    串行 F-RAM 提供全接口速度快速写入。 串行 F-RAM 没有任何写入延迟;数据即时非易失性。 传统非易失性存储器数据变为非易失性前的延迟长于 5 ms。 如果电源掉电,挂起的数据就会丢失,除非系统具有额外电容或电池保持系统直到数据存储成功。
    串行 F-RAM 具有近乎无限的 1014 次读/写循环寿命。 传统的非易失性存储器的读写循环次数通常小于 106,迫使系统设计人员使用复杂的损耗平衡例程和高达 4 倍的密度,来延长存储器的使用寿命。
    串行 F-RAM 的工作电流低至 300 µA,待机电流低至 6 µA。 凭借快速写入能力,串行 F-RAM 保持工作状态的时间期较短,因此能耗非常低。 传统的非易失性存储器存在写入延迟,必须长时间保持工作状态,致使能耗高。
    只需很小的固件改动,串行 F-RAM 就可以成为引脚对引脚和基底面兼容的 EEPROM 替代品。

    串行 F-RAM™ 非易失性存储器特性

    • 高达 40 MHz SPI 和 3.4 MHz I²C

    • 无写入延迟

    • 即时非易失性

    • 无需电池或电容器

    • 1014 次读/写寿命

    • 无需损耗平衡

    • 低至 300 µA 的工作状态电流和 6 µA 的待机电流

    • 本征伽玛辐射容差

    • 20 年数据保存期

    • 电压选择:3.3 V、5 V、2.0 V 至 5.5 V(宽)

    • 工业和汽车级温度

    • 提供 AEC-Q100 1 级和 3 级

    串行 F-RAM™ 非易失性存储器应用

    1. 计量

    2. 工业自动化和计算

    3. 汽车传感器和电子产品

    4. 收银机设备

    5. 手持式医疗设备

    6. 多功能打印机

    7. 可编程逻辑控制器

    8. 测试与测量系统

    1 Mb Serial F-RAM
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    FM25V10-G未分类-待分类商品IC FRAM 1MBIT 40MHZ 8SOIC¥132.71654在线订购
    FM25VN10-G其他存储器-存储器IC FRAM 1MBIT 40MHZ 8SOIC¥160.03153在线订购
    2 Mb Serial F-RAM
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    FM25V20A-DGQFRAM存储器-存储器2 Mbit (256 K × 8) 串行 (SPI) F-RAM,具有扩展温度¥163.91899在线订购
    256 Kb Serial F-RAM
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    FM25V02A-GTRFRAM存储器-存储器256-Kbit(32K x 8bit),SPI接口,工作电压:2.0V to 3.6V在线订购
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    4 Mb Serial F-RAM
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    CY15B104Q-LHXI未分类-待分类商品F-RAM MEMORY¥290.70310在线订购
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    64 Kb Serial F-RAM
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    FM25CL64B-GTRFRAM存储器-存储器FRAM存储器 2.7~3.65V 64KB 20MHz SOIC8_150MIL¥8.14265在线订购
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    CY15FRAMKIT-001开发板/评估板/验证板(废弃)SERIAL F-RAM DEV KIT¥310.00786在线订购
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