安森美半导体 FGA20S140P的工作电压范围为1,100 V至1,400 V，采用内部反并联二极管进行优化，适用于软开关应用。凭借典型的非穿通（NPT）IGBT技术的进步，安森美半导体的短路阳极硅技术提供的饱和电压比相同的NPT沟槽IGBT低12％以上。此外，与竞争对手的IGBT产品相比，该产品系列的尾电流速率更低，超过20％。这些丰富的功能使安森美半导体先进的IGBT能够提供更好的热性能，更高的效率和更低的功率损耗。