意法半导体低压MOSFET是DC / DC转换器和电机控制应用中使用的拓扑开关效率的关键因素。例如，对于同步降压转换器，高频开关损耗的主要贡献是高侧（HS）FET（控制FET）中的开关损耗和低侧（LS）FET（同步FET）中的导通损耗。ST的STripFET V技术具有最佳的开关品质因数（RDS（on）* Qg），因此是HS的理想选择。此外，STripFET VI DeepGATE™具有每个区域最低的RDS（on）值之一，因此对LS更好。