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STripFET™系列V功率MOSFET
意法半导体的低压MOSFET（STripFET™ Series V Power MOSFETs）是开关拓扑效率的关键因素
发布时间：2018-06-14
意法半导体低压MOSFET是DC / DC转换器和电机控制应用中使用的拓扑开关效率的关键因素。例如，对于同步降压转换器，高频开关损耗的主要贡献是高侧（HS）FET（控制FET）中的开关损耗和低侧（LS）FET（同步FET）中的导通损耗。ST的STripFET V技术具有最佳的开关品质因数（RDS（on）* Qg），因此是HS的理想选择。此外，STripFET VI DeepGATE™具有每个区域最低的RDS（on）值之一，因此对LS更好。
STripFET™系列V功率MOSFET特性
R DS（on）* Qg行业基准
极低的导通电阻R DS（on）
极低的开关栅极电荷
高雪崩坚固性
低栅极驱动功率损耗
高功率密度
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | STL150N3LLH5 | MOSFETs-晶体管 | N沟道,30V,195A | 在线订购 | |
 | | STL15DN4F5 | MOSFETs-晶体管 | 汽车级双路N沟道40 V、8 mOhm典型值、15 A STripFET F5功率MOSFET，PowerFLAT 5x6双岛封装 | ￥7.69173 | 在线订购 |
| | STL65DN3LLH5 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET 2N-CH 30V 65A POWERFLAT | 在线订购 | |
| | STL70N4LLF5 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 40V 18A PWRFLAT 6X5 | ￥4.83837 | 在线订购 |
| | STL140N4LLF5 | MOSFETs-晶体管 | 在线订购 | ||
| | STL150N3LLH6 | MOSFETs-晶体管 | 在线订购 |
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