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ThunderFET
Vishay/Siliconix 推出品种齐全、采用行业标准封装的 80 V 和 100 V ThunderFET（ThunderFETs）
发布时间：2018-06-14
Vishay/Siliconix ThunderFET® 设计用来在高密度电源中实现出色的效率，同时兼容所有常见的 MOSFET 控制电路。
这一独特的设计特性使得用户可以轻松选择器件，而无需顾虑所用 MOSFET 栅极驱动器的类型。 从技术角度看，ThunderFET® 可在最低 4.5 V 的栅极电压下提供最低的导通损耗，而不会增加栅极驱动器的开关损耗。
ThunderFET特性
5 V 逻辑电平，可降低栅极驱动器功率损耗
低 CDSS“A”版 ~ 提升了 40%
RDS(ON) 比 TrenchFET 降低 60% 以上
QGO 在相近 RDS(ON) 下比 TrenchFET 减小达 50%
ThunderFET应用
电信模块
服务器同步整流
POE（以太网供电）
再生能源
电机控制和驱动
电信 DC-DC
离线 UPSDC-AC 逆变器
LED 照明用升压转换器
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | SIS892DN-T1-GE3 | MOSFETs-晶体管 | ￥5.30573 | 在线订购 | |
 | | SIR880DP-T1-GE3 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8 | ￥9.72189 | 在线订购 |
 | | SIR846DP-T1-GE3 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8 | ￥8.93883 | 在线订购 |
 | | SIR804DP-T1-GE3 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8 | ￥10.16379 | 在线订购 |
 | | SIR882ADP-T1-GE3 | MOSFETs-晶体管 | MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=17.6A RDS(ON)=8.7mΩ@10V | ￥12.08658 | 在线订购 |
| | SIR870ADP-T1-GE3 | MOSFETs-晶体管 | ￥7.45713 | 在线订购 | |
| | SIR826DP-T1-GE3 | MOSFETs-晶体管 | ￥10.49522 | 在线订购 | |
| | SIR878ADP-T1-GE3 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8 | 在线订购 | |
 | | SI4190DY-T1-GE3 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 100V 20A 8-SOIC | 在线订购 |
应用案例
资讯EMI安规电容器选型时需要考虑什么2025-11-25
安规电容是在电子电路中用于抑制电源电磁干扰的电容器，其核心的作用有两方面：一是消除电源线路中的噪声，对共模，差模干扰进行滤波;二是要满足安全规范 IEC60384-14 的要求。
资讯Vishay HRHA充电电阻器技术解析与应用指南2025-11-17
Vishay MCB HRHA充电电阻器（用于EV混合绕线技术）具有高能量/体积比，符合AEC-Q200标准。Vishay MCB HRHA充电电阻器设计用于工业和汽车电器中的预充电、放电和有源放电电阻器。该系列在不锈钢上的额定功率为90W，在Pamitherm上的额定功率为54W。这些混合绕线电阻器的温度范围为-55C°至+250°C。
资讯Vishay Spectrol 157型精密工业电位器技术解析与应用指南2025-11-17
Vishay/Spectrol 157型精密工业电位器是7/8" (22.2mm) 元件，由导电塑料制成，有套管和伺服安装型号可供选择。这些电位器具有1kΩ至100kΩ电阻范围、 10%或±20%容差选项、360°连续旋转以及340° (±4°) 电角度，可在宽温度范围内工作。坚固的一体式金属外壳有助于延长旋转寿命。
资讯Vishay TNPW系列含铅薄膜片式电阻器技术解析与应用指南2025-11-14
Vishay TNPW含铅薄膜片式电阻器是高稳定性、薄膜片式电阻器。这些薄膜电阻器采用含铅端子，因此适合用于非常重视可靠性和稳定性的关键应用，例如军事、航空电子和工业应用。这些电阻器的封装尺寸范围为0402至1210，电阻范围为10Ω至3.01MΩ，容差为±1%至±0.1%。Vishay TNPW含铅薄膜片式电阻器采用陶瓷结构、金属膜层和SnPb端子电镀，引线触点>6%。
资讯Vishay Spectrol 534系列多匝线绕电位器技术解析与应用指南2025-11-14
Vishay/Spectrol 534系列7/8" (22.2mm) 多匝绕线电位计采用套管和伺服安装设计，标准线性度为±0.25%，特殊电阻容差为1%。这些器件具有2W额定功率（+70°C时）、10匝绕线、100Ω至100kΩ电阻范围，以及10Ω至200kΩ能力范围。其他特性包括双群组配置和同心轴、后轴扩展和支撑轴承，以及特殊标记和前轴扩展。Vishay/Spectrol 7/8" (22.2mm) 多匝绕线电位计非常适合用于工业应用。
资讯Vishay BC Components 202 PML-ST系列铝电解电容器技术解析2025-11-14
Vishay/BC Components 202 PML-ST/MAL2202螺钉端子铝电解电容器 (AEC) 的使用寿命长达10,000小时（+85°C时），具有大纹波电流和低等效串联电阻 (ESR)。Vishay/BC Components 202 PML-ST/MAL2202 AEC的应用寿命超过25年（+50°C时），额定电容范围为330μF至56,000μF。这些电容器可在电机驱动器、不间断电源 (UPS)、焊接、X射线设备等中提供能量存储。
资讯Vishay SIP32434 电子保险丝技术解析与应用指南2025-11-14
Vishay / Siliconix SIP32434单通道电子保险丝集成了多种控制和保护特性。SIP32434具有更高可控性和可靠性，简化了设计，并最大限度地减少了外部元件数量。SIP32434A和SIP32434B保护电源和连接开关的下游电路。保护功能包括过载、短路、电压浪涌和过大浪涌电流。
资讯Vishay SuperTan®液态钽电容器技术解析与应用指南2025-11-13
Vishay/Sprague STH SuperTan ^®^ 液态钽电容器性能更加强大，具有军用元器件H级抗热冲击和抗振动能力。该系列还具备高达300次的抗热冲击能力。其设计牢固性强且可靠性高，采用了玻璃-金属气密封接、绝缘套管和锡/铅轴向端接，D型封装尺寸。Vishay/Sprague STH SuperTan液态钽电容器的工作温度范围为-55°C ~ +85°C，在电压降额情况下工作温度可高达+125°C。其它特性如下：电容为880μF或1200μF（容差为±20%），低等效串联电阻 (ESR) 为500mΩ或600mΩ。通常应用于航空电子设备、航空航天、石油钻探和水下设备、电源、致动器、应答器以及无线电、雷达和军事系统。
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