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ThunderFET
Vishay/Siliconix 推出品种齐全、采用行业标准封装的 80 V 和 100 V ThunderFET（ThunderFETs）
发布时间：2018-06-14
Vishay/Siliconix ThunderFET® 设计用来在高密度电源中实现出色的效率，同时兼容所有常见的 MOSFET 控制电路。
这一独特的设计特性使得用户可以轻松选择器件，而无需顾虑所用 MOSFET 栅极驱动器的类型。 从技术角度看，ThunderFET® 可在最低 4.5 V 的栅极电压下提供最低的导通损耗，而不会增加栅极驱动器的开关损耗。
ThunderFET特性
5 V 逻辑电平，可降低栅极驱动器功率损耗
低 CDSS“A”版 ~ 提升了 40%
RDS(ON) 比 TrenchFET 降低 60% 以上
QGO 在相近 RDS(ON) 下比 TrenchFET 减小达 50%
ThunderFET应用
电信模块
服务器同步整流
POE（以太网供电）
再生能源
电机控制和驱动
电信 DC-DC
离线 UPSDC-AC 逆变器
LED 照明用升压转换器
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | SIS892DN-T1-GE3 | MOSFETs-晶体管 | ￥5.67948 | 在线订购 | |
 | | SIR880DP-T1-GE3 | MOSFETs-晶体管 | PowerPAK是一种新的封装的MOSFET技术，它基于SO-8封装开发，与标准SO-8具有相同的占位面积和引脚排列，可直接替代标准SO-8封装。作为无引脚封装，它利用整个SO-8占位面积，能容纳比标准SO-8更大的芯片。芯片底部的连接垫暴露，可提供直接、低电阻的热路径到安装设备的基板。此外，该封装高度低于标准SO-8，适合空间受限的应用。 | ￥10.00196 | 在线订购 |
 | | SIR846DP-T1-GE3 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8 | ￥9.30768 | 在线订购 |
 | | SIR804DP-T1-GE3 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8 | ￥10.40167 | 在线订购 |
 | | SIR882ADP-T1-GE3 | MOSFETs-晶体管 | MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=17.6A RDS(ON)=8.7mΩ@10V | ￥12.81911 | 在线订购 |
| | SIR870ADP-T1-GE3 | MOSFETs-晶体管 | ￥7.92525 | 在线订购 | |
| | SIR826DP-T1-GE3 | MOSFETs-晶体管 | ￥10.70046 | 在线订购 | |
| | SIR878ADP-T1-GE3 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8 | 在线订购 | |
 | | SI4190DY-T1-GE3 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 100V 20A 8-SOIC | 在线订购 |
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