Vishay/Siliconix 推出新一代（第四代）TrenchFET 30 V N 沟道功率 MOSFET。 SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP 和 SiSA04DN 采用新的高密度设计以及 PowerPAK® SO-8 和 1212-8 封装，具有业界较低的导通电阻（4.5 V 时低至 1.35 mΩ）和较低的总栅极电荷。
Vishay 的新一代（第四代）TrenchFET 30 V N 沟道功率 MOSFET 在芯片设计、晶圆加工和器件封装方面均进行了技术改进，为当今的电力电子系统设计人员带来了诸多优势。 与以前的器件相比，第四代产品的导通电阻与硅面积乘积减小了 60% 以上，能够实现业界最低的导通电阻，从而降低功耗并提高效率。