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第四代 TrenchFET MOSFET
Vishay 推出来自 Vishay/Siliconix 的新一代（第四代）TrenchFET 30 V N 沟道功率 MOSFET（TrenchFET® Gen IV MOSFETs）
发布时间：2018-06-14
Vishay/Siliconix 推出新一代（第四代）TrenchFET 30 V N 沟道功率 MOSFET。 SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP 和 SiSA04DN 采用新的高密度设计以及 PowerPAK® SO-8 和 1212-8 封装，具有业界较低的导通电阻（4.5 V 时低至 1.35 mΩ）和较低的总栅极电荷。
Vishay 的新一代（第四代）TrenchFET 30 V N 沟道功率 MOSFET 在芯片设计、晶圆加工和器件封装方面均进行了技术改进，为当今的电力电子系统设计人员带来了诸多优势。 与以前的器件相比，第四代产品的导通电阻与硅面积乘积减小了 60% 以上，能够实现业界最低的导通电阻，从而降低功耗并提高效率。
第四代 TrenchFET MOSFET特性
TrenchFET® 第四代功率 MOSFET
经过 100% Rg 和 UIS 测试
无卤素，符合 IEC 61249-2-21 规定
符合 RoHS 指令 2002/95/EC
第四代 TrenchFET MOSFET应用
高功率密度 DC/DC 转换器、同步整流、同步降压转换器和 OR-ing 应用
典型终端产品，包括开关模式电源、稳压器模块 (VRM)、POL、电信模块、PC 和服务器
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | SIS476DN-T1-GE3 | MOSFETs-晶体管 | ￥4.09180 | 在线订购 | |
 | | SI4062DY-T1-GE3 | MOSFETs-晶体管 | MOSFETs N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=32.1A RDS(ON)=4.2mΩ@10V SOIC8_150MIL | ￥20.28300 | 在线订购 |
| | SISA04DN-T1-GE3 | MOSFETs-晶体管 | ￥4.29699 | 在线订购 | |
 | | SIZ914DT-T1-GE3 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET2N-CH30V16APWRPAIR | 在线订购 | |
 | | SISA10DN-T1-GE3 | MOSFETs-晶体管 | ￥3.67321 | 在线订购 |
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