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Si7655DN -20 V P沟道MOSFET
Vishay推出采用3.3 mm方形封装的-20 V P沟道MOSFET（Si7655DN -20 V P-Channel MOSFET），具有业界较低的导通电阻
发布时间：2018-06-14
Vishay的 Si7655DN，采用3.3 mm x 3.3 mm封装的-20 V p沟道MOSFET，在4.5 V栅极驱动下的最大导通电阻仅为4.8mΩ。Si7655DN也是VishaySiliconixPowerPAK®1212封装的新版本中的第一款器件，该器件可实现低R DS（ON）器件，同时提供28％更薄的0.75 mm标称外形并保持相同的PCB焊盘模式。
Si7655DN -20 V P沟道MOSFET特性
新版3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK 1212封装采用更薄的0.75 mm外形
节省宝贵的电路板空间和高度
采用业界领先的P-channel Gen III技术
10 V栅极驱动时的超低最大导通电阻为3.6mΩ，4.5 V时为4.8mΩ，2.5 V时为8.5mΩ
与其他最佳竞争-20 V器件相比，提高了17％或更高
允许设计人员在电路中实现更低的电压降和更长的电池运行时间
Si7655DN -20 V P沟道MOSFET应用
工业系统中的负载切换和热插拔; 充电器电路中的适配器，电池和负载开关; 智能手机，平板电脑和其他移动计算设备的电源和电源管理
固定电信，手机基站和服务器/计算机系统中的冗余切换，OR-ing和监控应用
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | SI7655DN-T1-GE3 | MOSFETs-晶体管 | ￥5.98708 | 在线订购 |
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