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SiA436DJ 8 V N 沟道 TrenchFET 功率 MOSFET
Vishay 新推具有业界最低导通电阻和 2 mm x 2 mm 基底面积的 8 V N 沟道 MOSFET（SiA436DJ 8 V N-Channel TrenchFET Power MOSFET）
发布时间：2018-06-14
Vishay Siliconix 的 SiA436DJ 8 V、N 沟道 TrenchFET 功率 MOSFET 专为节省便携式电子产品中的宝贵 PCB 空间而设计。 对于这些器件，MOSFET 的导通电阻比前代解决方案小 18%，相比基底面积为 2 mm x 2 mm 的最接近的同类竞争产品 N 沟道器件，其导通电阻最多可小 64%。 除降低负载开关的压降以避免不必要的欠压闭锁外，这种超低导通电阻还可降低传导损耗，从而实现更低的功耗。 SiA436DJ 的导通电阻额定值低至 1.2 V，不仅简化了电路设计，而且支持 MOSFET 与手持设备中常见的低电压电源轨配合工作，从而延长两次充电之间的电池工作时间。
SiA436DJ 8 V N 沟道 TrenchFET 功率 MOSFET特性
紧凑型 PowerPAK SC-70 封装，基底面积为 2 mm x 2 mm
节省便携式电子产品中的 PCB 空间
降低传导损耗，实现更低的功耗和更高的能效
防止不必要的欠压闭锁
导通电阻额定值低至 1.2 V，支持 MOSFET 与手持设备中常见的低电压电源轨配合工作
SiA436DJ 8 V N 沟道 TrenchFET 功率 MOSFET应用
除了移动计算应用之外，还可用于便携式电子产品中的负载开关，例如智能手机和平板电脑
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | SIA436DJ-T1-GE3 | MOSFETs-晶体管 | ￥2.16230 | 在线订购 |
应用案例
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