
TPS51916 存储器电源解决方案

Texas Instruments 用于 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存储器的完整电源解决方案同步降压控制器(TPS51916 Memory Power Solution)
发布时间:2018-06-14
Texas Instruments 的 TPS51916 为 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存储器系统提供了总成本极低、空间需求极小的完整电源。 该产品将同步降压稳压器控制器 (VDDQ) 与 2 A 灌/拉跟踪 LDO (VTT) 和缓冲式低噪声基准 (VTTREF) 集成在一起。 TPS51916 采用 300 kHz/400 kHz 耦合频率的 D-CAP™ 模式实现易用性和快速瞬态响应,或采用高于 500 kHz/670 kHz 耦合频率的 D-CAP2™ 模式支持陶瓷输出电容器,且无需外部补偿电路。 VTTREF 用于跟踪 VDDQ/2,并保持 0.8% 以内的优异精度。 VTT 提供 2 A 灌/拉峰值电流处理能力,且只需要 10 µF 的陶瓷电容。
TPS51916 存储器电源解决方案特性
同步降压控制器 (VDDQ)
转换电压范围:3 V 至 28 V
输出电压范围:0.7 V 至 1.8 V
0.8% VREF 精度
可选择控制结构 D-CAP 模式以实现快速瞬态响应,或选择 D-CAP2 模式以支持陶瓷输出电容器
可选 300 kHz/ 400 kHz/ 500 kHz/ 670 kHz 开关频率
通过自动跳选功能优化轻、重负载条件下的能效
在 S4/S5 状态下支持软关机
OCL/OVP/UVP/UVLO 保护
电源良好输出
热关断
20 引脚,3 mm × 3 mm,QFN 封装
2 A LDO(VTT),缓冲式基准 (VTTREF)
2 A(峰值)灌电流和拉电流
仅需 10 µF 的陶瓷输出电容
缓冲式,低噪声,10 mA VTTREF 输出
0.8% VTTREF,20 mV VTT 精度
在 S3 状态下支持高阻抗,在 S4/S5 状态下支持软关机
TPS51916 存储器电源解决方案应用
DDR2/DDR3/DDR3L 存储器电源
SSTL_18、SSTL_15、SSTL_135 和 HSTL 终端
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