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CSD86330Q3D电源块和TPS53219降压控制器
TI的3x3 SON功率模块在低压同步降压负载点转换器（CSD86330Q3D Power Block and TPS53219 Buck Controller）中优于分立MOSFET
发布时间：2018-06-14
从上网本到基站的终端设备设计人员越来越关注效率，功耗和功率密度。设计人员必须提高效率并支持更高的负载电流，同时他们的终端客户期望更小的外形尺寸。提高DC / DC同步降压转换器效率的传统方法包括通过较低RDS（ON）器件降低MOSFET中的传导损耗，并通过低频操作降低开关损耗。RDS（ON）的增量改进处于收益递减点，而较低的频率不支持功率密度的改善。
德州仪器（TI）的3x3 SON NexFET™功率模块（CSD86330Q3D）旨在利用NexFET功率MOSFET显着降低的栅极电荷和创新的堆叠芯片封装方法来帮助克服这些限制。下图使用TPS53219（采用3x3 QFN封装的高性能PWM降压控制器）说明（点击放大）Power Block的效率。可以看出，该组合从3A到15A（灰色曲线）实现了超过90％的效率。Power Block可以显着优于竞争对手的3x3分立器件，占用电路板空间的一半。它还可以在高达1.5 MHz的频率下工作，以进一步提高功率密度。
CSD86330Q3D电源块和TPS53219降压控制器特性
CSD86330Q3D功能
半桥电源块
15 A时系统效率为90％
最多20 A的操作
高频操作（最高1.5 MHz）
高密度 - SON 3.3 mm×3.3 mm占位面积
针对5 V栅极驱动进行了优化
开关损耗低
超低电感封装
符合RoHS标准/无卤素/无铅端子电镀
TPS53219功能
宽输入电压范围：4.5 V至28 V.
输出电压范围：0.6 V至5.5 V.
宽输出负载范围：0 A至> 20 A.
内置0.6 V基准电压源
内置LDO线性稳压器
自动跳过Eco-mode™以实现轻载效率
D-CAP™模式，100 ns负载阶跃响应
自适应导通时间控制架构，具有八种可选频率设置
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | CSD86330Q3D | MOSFETs-晶体管 | MOSFETs Dual N-Channel VDS1=25V VDS2=25V ID=60A SON8_3.4X3.4MM_EP | ￥56.68920 | 在线订购 |
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
_tmb.jpg) | | TPS53219RGTR | DC-DC开关控制芯片-电源管理 | TPS53219 4.5V TO 28V INPUT SYNCH | ￥5.52960 | 在线订购 |
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