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CSD18501Q5A NexFET 功率 MOSFET
Texas Instruments 的 MOSFET （CSD18501Q5A NexFET Power MOSFET）可最大限度地降低功率转换应用中的损耗
发布时间：2018-06-14
Texas Instruments 的 CSD1850xQ5A 器件是 40 V N 沟道 NexFET 功率 MOSFET，可最大限度地降低功率转换应用中的损耗。 这些 MOSFET 适用于 DC-DC 转换、次级侧同步整流器和电池电机控制应用。
CSD18501Q5A NexFET 功率 MOSFET特性
超低 Qg 和 Qgd
热阻低
雪崩级
逻辑电平
无铅端子电镀、符合 RoHS 规范，且无卤素
SON 5 mm × 6 mm 塑料封装
CSD18501Q5A NexFET 功率 MOSFET应用
DC-DC 转换
次级侧同步整流器
电池电机控制
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | CSD18504Q5A | MOSFETs-晶体管 | MOSFETs N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=75A RDS(ON)=6.6mΩ@10V VSONP8 | ￥3.31120 | 在线订购 |
 | | CSD18503Q5A | MOSFETs-晶体管 | CSD18503Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.3mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET | ￥30.09090 | 在线订购 |
 | | CSD18501Q5A | MOSFETs-晶体管 | MOSFETs N-沟道 40V 22A,100A VSONP8_4.9X5.75MM | ￥16.89350 | 在线订购 |
应用案例
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