主页所有制造商STL6384E 高电压器件

    L6384E 高电压器件

    L6384E 高电压器件

    STMicroelectronics 的高电压半桥驱动器(L6384E High Voltage Device)

    发布时间:2018-06-14

    STMicroelectronics 的 L6384E 是一款采用 BCD "OFF-LINE" 技术制造的高电压器件。 采用半桥驱动器结构,可驱动 N 沟道功率 MOS 或 IGBT。 高压侧(浮动)部分使该器件能与高达 600 V 电压轨一起工作。逻辑输入兼容 CMOS/TTL,方便连接控制设备。 低压侧和高压侧之间匹配延迟简化了高频率工作。 通过外部电阻器可随时设置空载时间。

    L6384E 高电压器件特性

    • 高电压轨高达 600 V

    • 在整个温度范围内具有 ±50 V/ns 的 ±dV/dt 抗扰度

    • 驱动器电流能力:

      400 mA 拉出电流

      650 mA 灌入电流

    • 1 nF 负载条件下 50/30 ns 上升/下降开关时间

    • CMOS/TTL 施密特触发器输入,具有滞后和下拉

    • 关闭输入

    • 空载时间设置

    • 欠压锁定

    • 集成自举二极管

    • 箝位 VCC

    • SO-8/DIP-8 封装

    L6384E High Voltage Device
    图片数据手册产品型号产品分类产品描述价格操作
    L6384ED013TR栅极驱动-电源管理SOIC8 SMT 15.6V¥4.25600在线订购
    L6384E栅极驱动-电源管理IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP在线订购
    Copyright ©2012-2025 hqchip.com.All Rights Reserved 粤ICP备14022951号工商网监认证 工商网监 营业执照