
PBSM5240PF中功率晶体管

Nexperia通过便携式设备的超紧凑电源管理解决方案(PBSM5240PF Medium Power Transistor)实现小型化
发布时间:2018-06-14
Nexperia推出PBSM5240PF,这是一款超紧凑型中功率晶体管和N沟道沟槽MOSFET,采用无引线DFN2020-6(SOT1118)塑料封装。DFN2020-6(SOT1118)尺寸仅为2 x 2 mm,高度仅为0.65 mm,旨在满足移动设备等高性能消费产品小型化的行业趋势。
作为市场上首批将低VCE(sat)BISS晶体管和Trench MOSFET集成到二合一产品中的电源管理解决方案之一,PBSM5240PF可节省PCB空间,同时提供高电气性能。
与需要两个封装用于小信号突破(BISS)/ MOSFET解决方案的传统解决方案相比,PBSM5240PF的封装尺寸减少了50%以上,封装高度降低了10%以上。此外,由于DFN2020-6(SOT1118)封装采用散热器,因此该器件的热性能提高了25%,从而可实现高达2 A的更高电流和更低的功耗。
PBSM5240PF中功率晶体管特性
极低的集电极 - 发射极饱和电压V CE(sat)
采用2 x 2 mm的DFN2020-6封装需要较少的印刷电路板(PCB)面积
由于产生的热量较少,因此能效高
高集电极电流能力I C和I CM
高I C时的高集电极电流增益(h FE)
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | | PBSM5240PF,115 | MOSFETs-晶体管 | MOS管 N-Channel, PNP VDS=30V VGS=±8V ID=660mA RDS(ON)=580mΩ@4.5V SOT1118 | 在线订购 |









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