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    IR3550 / IR3553集成PowIRstage™

    IR3550 / IR3553集成PowIRstage™

    International Rectifier的同步降压栅极驱动器与控制MOSFET和同步MOSFET共同封装(IR3550 / IR3553 Integrated PowIRstage™)

    发布时间:2018-06-14

    国际整流器PowIRstage集成了高性能同步降压栅极驱动器和IR最新一代控制和同步MOSFET,除了肖特基二极管外,还具有低R DS(on)和栅极电荷。PowIRstage提供业界最佳的60 A评级,具有更低的损耗,更高的效率和出色的热管理。与传统的分立式设计和替代功率级解决方案相比,PowIRstage简化了高电流,高性能多相降压调节器的设计和实现,并与当今市场上的大多数模拟和数字控制器兼容。


    IR3550 / IR3553集成PowIRstage™特性

    • 输出电流能力高达60 A.

    • 在1.2 V OUT时峰值效率高达95%

    • 足迹兼容解决方案,额定电流为40 A至60 A.

    • 输入电压(V IN)范围为4.5 V至15 V.

    • 输出电压(V OUT)范围为0.25 V至3.3 V.

    • 工作频率高达1 MHz

    • 集成电流检测放大器

    • 热旗

    • Body-Braking™负载瞬态支持

    • 符合Intel DrMOS V4.0

    • 高效的双面冷却

    • 无铅,符合RoHS标准的封装

    IR3550 / IR3553
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    应用案例

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    • 资讯美国国际贸易委员会裁定英飞凌在针对英诺赛科的一项专利侵权案中胜诉2025-12-04

      美国国际贸易委员会的最终裁定可能导致英诺赛科涉嫌侵权的产品被禁止进口至美国 该裁决是又一项积极结果,彰显了英飞凌在业界领先的专利组合的价值 氮化镓 (GaN) 在实现高性能、高能效功率系统方面发挥着关键作用 德国慕尼黑2025年12月3日 /美通社/ -- 美国国际贸易委员会(ITC)裁定英诺赛科侵犯了英飞凌科技股份公司(FSE 代码:IFX / OTCQX 代码:IFNNY)拥有的一项氮化镓(GaN)技术专利1。此外,在初步裁定中,美国国际贸易委员会确认,英飞凌在

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      【2025年11月19日, 德国慕尼黑与奥地利格拉茨讯】 全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日在奥地利格拉茨成立了一个超宽带(UWB)应用实验室。该实验室由英飞凌与Silicon Austria Labs(简称SAL)联合创建,旨在推动超宽带(UWB)技术的发展、探索创新的应用场景,以及为汽车、工业、物联网(IoT)和消费市场提供实际的应用解决方案。作为一项先进的无线通信技术,超宽带(UWB)不仅能实现精准

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