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FGD3N60UNDF 短路级 IGBT
来自 ON Semiconductor 的 600 V、3 A 短路级 IGBT（FGD3N60UNDF Short-Circuit Rated IGBT）
发布时间：2018-06-14
ON Semiconductor 推出 600 V、3 A 短路级 IGBT。 ON Semiconductor 的 NPT IGBT 使用先进的 NPT IGBT 技术，为低损耗和短路稳定特性是基本要求的低功耗逆变器驱动型应用提供了最优的性能。
FGD3N60UNDF 短路级 IGBT特性
额定短路时间 10 µs
高电流能力
高输入阻抗
开关速度快
符合 RoHS 规范
FGD3N60UNDF 短路级 IGBT应用
缝纫机
数控机床
家用电器
电机控制
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | FGD3N60UNDF | IGBT-晶体管 | 飞兆半导体的 NPT IGBT 采用的是先进的 NPT IGBT 技术，为具有低损耗和短路耐用性特征的低功率逆变器驱动应用提供最优性能。 | 在线订购 |
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| 文档名称 | 类型 | 大小 | 更新日期 | 查看次数 | 下载 |
|---|---|---|---|---|---|
| DPAK3 (TO-252 3 LD) | | 152KB | 827次 |  | |
| FGD3N60UNDF-D.pdf | | 1146KB | 835次 | | |
| FGD3N60UNDFdatasheet | | - | |
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