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40 V StrongIRFET™ 功率 MOSFET
拥有超低导通电阻 (RDS(on)) 和高电流能力、适合各种工业应用的 40 V StrongIRFET™ 功率 MOSFET（40 V StrongIRFET™ Power MOSFETs ）
发布时间：2018-06-14
StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列拥有超低导通电阻 (RDS(on)) 和高电流能力，适用于各种工业应用，包括电动工具、无线控制玩具、逆变器（移动、备用）、DC 电机驱动、锂离子电池组保护和 SMPS 次级侧同步整流。
丰富的产品组合和封装能让设计人员为其低开关频率应用灵活地的选择最佳器件。 这些器件达到工业级和 1 级湿气敏感度 1 (MSL1)，且无铅，符合 RoHS 规范。 DirectFET® 器件不含引线黏着材料，完全符合 RoHS 定时限制规定。
40 V StrongIRFET™ 功率 MOSFET特性
专为工业应用而设计
超低 RDSon
高电流能力，一些封装达到了业内最高
丰富多样的产品组合
在低频应用中采用软体二极管改进性能
3 V（典型值）阈值电压，增强了抗噪能力
应用案例
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在轨道交通、风电变流器等高压大功率应用中，提升功率密度和系统效率是关键挑战。传统硅基IGBT模块虽成熟可靠，但受限于材料特性，难以满足高频、高效的新需求。英飞凌推出的3.3kVCoolSiCMOSFETXHP2模块，结合创新的“.XT互连技术”，为高压牵引系统提供了更高性能的解决方案。模块核心优势：性能与可靠性01高电流密度与低损耗额定电流1000A，导通电
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2025年11月19日，在杭州举行的英飞凌颁奖活动上，安富利大中华区团队凭借其卓越的市场洞察、销售业绩以及对客户需求精准的理解与支持，不仅荣膺英飞凌“年度杰出业务合作伙伴”奖和“应用系统解决方案创新”奖，更收获英飞凌每个事业部颁发的多项荣誉——包括“汽车新产品定义突出贡献奖”、“大众市场新产品需求创造杰出奖”、“大众客户业务发展杰出奖”、“需求创造奖”及“JA客户杰出发展奖”等重要奖项。
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11月25日，英飞凌科技EconoDUAL3CoolSiCMOSFET1200V模块荣获2025年全球电子成就奖（WorldElectronicsAchievementAwards）年度功率半导体/驱动器奖项，再次彰显英飞凌在功率半导体领域的卓越实力和领先地位。英飞凌科技工业与基础设施业务市场经理刘倩出席颁奖典礼并领奖英飞凌EconoDUAL3CoolSiC
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“2025 年，我们在汽车业务本土化征程上迈出了关键一步——覆盖从产品定义的深度、生态合作的广度，到量产交付的速度。面向未来，我们将继续夯实系统级的解决方案和广泛的产品组合，加强本土产品定义，深入洞察客户需求，拓展生态合作，完善本土生产布局，以更具竞争力的产品与解决方案，更好地服务中国市场和客户。” 英飞凌科技高级副总裁、英飞凌汽车业务大中华区负责人曹彦飞指出。
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2025年，对英飞凌公司而言，不仅是凭借MCU元器件全球市占率登顶而载入史册的一年，更是其在行业周期性波动中，主动实施结构性转型、重构发展逻辑的关键一年。11月12日，这家“世界第一MCU厂商”发布了年度财务报告，引起广泛关注。 看似“平淡”的数据，一条“V型”业绩曲线，其实正悄然揭示这家MCU元器件巨头从“被动跟随”到“主动定义”、从“销售器件”到“输出系统”的蜕变。 V型业绩曲线背后:不只是复苏，更是结构转变的信号 2025财年，
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