这款 HEXFET® 功率 MOSFET 专为汽车应用而设计，采用了可在单位硅晶面积上实现极低导通电阻的最新工艺技术。 该设计的其他特性还包括 175°C 工作结温、高开关速度以及更高的重复性雪崩额定值。 所有这些特性使得这款产品设计拥有极高能效和可靠性，能用于汽车和大量其它应用。