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AUIRFN8403 COOLiRFET™
IR 推出采用 PQFN 5 x 6 E 封装的汽车级 Q101 40 V 单 N 沟道 HEXFET 功率 MOSFET（AUIRFN8403 COOLiRFET™ ）。
发布时间：2018-06-14
这款 HEXFET® 功率 MOSFET 专为汽车应用而设计，采用了可在单位硅晶面积上实现极低导通电阻的最新工艺技术。 该设计的其他特性还包括 175°C 工作结温、高开关速度以及更高的重复性雪崩额定值。 所有这些特性使得这款产品设计拥有极高能效和可靠性，能用于汽车和大量其它应用。
AUIRFN8403 COOLiRFET™特性
先进的工艺技术
超低导通电阻
175°C 工作温度
快速开关
允许达到 Tjmax 的重复性雪崩
无铅，符合 RoHS 规范
获得车用资质认证
AUIRFN8403 COOLiRFET™应用
电动助力转向系统 (EPS)
电池开关
启动/停止微型混合动力
重型负载
DC/DC 转换器
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | AUIRFN8403TR | MOSFETs-晶体管 | 在线订购 |
应用案例
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2025年11月19日，在杭州举行的英飞凌颁奖活动上，安富利大中华区团队凭借其卓越的市场洞察、销售业绩以及对客户需求精准的理解与支持，不仅荣膺英飞凌“年度杰出业务合作伙伴”奖和“应用系统解决方案创新”奖，更收获英飞凌每个事业部颁发的多项荣誉——包括“汽车新产品定义突出贡献奖”、“大众市场新产品需求创造杰出奖”、“大众客户业务发展杰出奖”、“需求创造奖”及“JA客户杰出发展奖”等重要奖项。
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11月25日，英飞凌科技EconoDUAL3CoolSiCMOSFET1200V模块荣获2025年全球电子成就奖（WorldElectronicsAchievementAwards）年度功率半导体/驱动器奖项，再次彰显英飞凌在功率半导体领域的卓越实力和领先地位。英飞凌科技工业与基础设施业务市场经理刘倩出席颁奖典礼并领奖英飞凌EconoDUAL3CoolSiC
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资讯MCU世界第一的英飞凌要猛攻AI了?2025-11-21
2025年，对英飞凌公司而言，不仅是凭借MCU元器件全球市占率登顶而载入史册的一年，更是其在行业周期性波动中，主动实施结构性转型、重构发展逻辑的关键一年。11月12日，这家“世界第一MCU厂商”发布了年度财务报告，引起广泛关注。 看似“平淡”的数据，一条“V型”业绩曲线，其实正悄然揭示这家MCU元器件巨头从“被动跟随”到“主动定义”、从“销售器件”到“输出系统”的蜕变。 V型业绩曲线背后:不只是复苏，更是结构转变的信号 2025财年，
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近日，第三届英飞凌汽车创新峰会暨第十二届汽车电子开发者大会圆满收官。本次盛会汇聚了来自约700家企业的1500余位业界精英，众人齐聚一堂，深度探讨智慧出行的无限可能。作为英飞凌重要战略合作伙伴，普华基础软件受邀出席英飞凌蒲公英俱乐部首届年会及2025英飞凌EEA扶光俱乐部研讨会，向与会嘉宾分享自身在车用操作系统开源方面的经验与实践成果，并就开源生态共建、技术创新突破等话题展开交流。
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