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全 SiC 半桥电源模块
ROHM 的 SiC 电源模块（Full-SiC Half-Bridge Power Modules ）在标准工业封装中集成了 SiC MOSFET 和 SBD
发布时间：2018-06-14
ROHM Semiconductor 的全 SiC 半桥功率模块在标准工业封装中集成了 SiC MOSFET 和 SBD。 通过采用原始电场缓和结构以及一种新的筛选方法，保证了产品可靠性并建立了首个全 SiC 功率模块量产系统。
全 SiC 半桥电源模块特性
低杂散电感
高速恢复特性
低开关损耗
与IGBT相比，无需降额
全 SiC 半桥电源模块应用
可再生能源/能源储存
EV / HEV变频器和充电器
感应加热/焊接
HVDC
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | BSM120D12P2C005 | MOSFETs-晶体管 | ￥3250.38192 | 在线订购 | |
 | | BSM180D12P2C101 | MOSFETs-晶体管 | ￥3948.84969 | 在线订购 |
应用案例
资讯搭载罗姆GaN器件的小型高效AC适配器被微星科技采用2025-11-14
全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）宣布，其EcoGaN Power Stage IC已应用于包括游戏笔记本电脑在内的MSI（微星）产品的AC适配器。
资讯AMEYA360 | ROHM推出适用于AI服务器的宽SOA范围5×6mm小尺寸MOSFET2025-11-13
2025年11月11日，全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，开发出实现业界超宽SOA*1 范围的100V 耐压功率MOSFET“RS7P200BM” 。该款产品采用5060 尺寸(5.0mm×6.0mm)封装，非常适用于采用48V电源AI服务器的热插拔电路*2，以及需要电池保护的工业设备电源等应用。 RS7P200BM采用小型DFN5060-8S(5060尺寸)封装，与ROHM在2025年5月发售的DFN8080-8S(8.0mm×8.0mm尺寸)封装AI服务器用功率MOSFET“RY7P250BM”相比，可实现更高密度的安装。 新产品在VDS=48V工作条件下，可确
资讯ROHM开发出搭载VCSEL的高速高精度接近传感器“RPR-0730”2025-11-12
ROHM（罗姆半导体）宣布，开发出一款可检测高速移动物体的小型高精度接近传感器“RPR-0730”，该产品广泛适用于包括标签打印机和输送装置在内的消费电子及工业设备应用。 随着工业设备和办公设备向更高性能、更多功能及更智能化方向发展，对感测技术的精度提升提出了更高要求，特别是标签打印机、样本传送装置和复印机等应用，除了通过优化生产工艺等提升速度外，还需要具备能够更精准识别目标物的技术，因此引入高速且高精度的接近传感器
资讯罗姆面向下一代800 VDC架构发布电源解决方案白皮书2025-11-04
ROHM（罗姆半导体）宣布，作为半导体行业引领创新的主要企业，发布基于下一代800 VDC架构的AI数据中心用的先进电源解决方案白皮书。 本白皮书作为2025年6月发布的“罗姆为英伟达800V HVDC架构提供高性能电源解决方案”合作新闻中的组成部分，详细阐述了罗姆为AI基础设施中的800 VDC供电系统提供强力支持的理想电源解决方案。 800 VDC架构是高效且可扩展性强的供电系统，因其可助力实现千兆瓦级AI工厂而有望为未来数据中心设计带来革命性转变。 罗姆不
资讯ROHM推出兼具低FET发热量和低EMI特性的三相无刷电机驱动器IC2025-10-30
ROHM（罗姆半导体）宣布，推出适用于中等耐压系统（12V～48V系统）的采用“TriC3™”技术的三相无刷直流电机驱动器IC“BD67871MWV-Z”。通过配备ROHM自有的驱动逻辑，该电机驱动器IC成功地在降低FET发热量的同时实现了低EMI*1特性，而这两项之间存在此消彼长的关系，通常很难同时兼顾。 电机的耗电量约占全球耗电量的60%，从能源效率的角度来看，进一步提升其控制技术越来越重要。尤其是在12V～48V电压等级的应用产品中，电机驱动的主流方案通常采用通
资讯AMEYA360 | 罗姆面向下一代800 VDC架构发布电源解决方案白皮书2025-10-29
～为实现千兆瓦级AI基础设施的800 VDC构想提供支持～ 2025年10月28日，全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)今日宣布，作为半导体行业引领创新的主要企业，发布基于下一代800 VDC架构的AI数据中心用的先进电源解决方案白皮书。 本白皮书作为2025年6月发布的“罗姆为英伟达800V HVDC架构提供高性能电源解决方案”合作新闻中的组成部分，详细阐述了罗姆为AI基础设施中的800 VDC供电系统提供强力支持的理想电源解决方案。 800 VDC架构是高效且可扩
资讯体积更小且支持大功率！ROHM开始量产TOLL封装的SiC MOSFET2025-10-23
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）宣布，已开始量产TOLL（TO-LeadLess）封装的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列产品。与同等耐压和导通电阻的以往封装产品（TO-263-7L）相比，其散热性提升约39%，虽然体型小且薄，却能支持大功率。该产品非常适用于功率密度日益提高的服务器电源、ESS（储能系统）以及要求扁平化设计的薄型电源等工业设备。 与以往封装产品相比，新产品的体积更小更薄，器件面积削减了约26%，厚度减半，仅为2.3mm。另外，很多
资讯AMEYA360 | ROHM开发出金属烧结分流电阻器UCR10C系列2025-10-16
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布成功开发出在2012尺寸分流电阻器(10mΩ～100mΩ)领域实现业界超高额定功率的“UCR10C系列”产品。 在电流检测领域，无论是车载市场还是工业设备市场，都要求分流电阻器能够应对更大功率。另外，车载市场对高接合可靠性的需求、工业设备市场对更高精度的需求也逐年高涨。ROHM为满足这些多样化的需求，一直在大力开发适配度高的分流电阻器，为客户提供电流检测方面的出色解决方案。 新产品是利用
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