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    74LVC8T595双电源移位寄存器

    74LVC8T595双电源移位寄存器

    Nexperia的74LVC8T595双电源8位串行输入/串行输出或并行输出移位寄存器(74LVC8T595 Dual Supply Shift Register),3态

    发布时间:2018-06-13

    Nexperia的 74LVC8T595双电源移位寄存器是8位串行输入或并行输出配置,具有存储寄存器和3态输出。移位和存储寄存器存在单独的时钟。移位寄存器中的数据在STCP输入的正向转换时被传送到存储寄存器。如果两个时钟都连接,则移位寄存器始终位于存储寄存器之前的一个时钟脉冲。

    CC(A)和V CC(B)可在1.1 V至5.5 V之间的任何电压下供电,使该器件适用于任何电压节点之间的转换(1.2 V,1.5 V,1.8 V,2.5 V,3.3 V)和5.0 V)。引脚MR,SHCP,STCP,OE,DS和Q7S参考V CC(A),引脚Qn参考V CC(B)

    该器件完全适用于使用I OFF的部分省电应用。I OFF电路禁用输出,防止在断电时通过器件的任何有害电流。在挂起模式下,当V CC(A)处于GND电平时,Qn输出处于高阻抗OFF状态。



    74LVC8T595双电源移位寄存器特性

    • 宽电源电压范围:

         V CC(A):1.1 V至5.5 V.

         V CC(B):1.1 V至5.5 V.

    • 高抗噪性

    • 符合JEDEC标准:

         JESD8-12A(1.1 V至1.3 V)

         JESD8-11A(1.4 V至1.6 V)

         JESD8-7(1.65 V至1.95 V)

         JESD8-5(2.3 V至2.7 V)

         JESD8C(3.0 V至3.6 V)

         JESD12-6(4.5 V至5.5 V)

    • 暂停模式

    • 每个JESD 78 Class II的闩锁性能超过100 mA

    • ±24 mA输出驱动(V CC(A) = V CC(B) = 3.0 V)

    • 输入接受高达5.5 V的电压

    • OFF  电路提供部分掉电模式操作

    • 多个包选项

    • 额定温度范围为-40°C至+ 85°C和-40°C至+ 125°C

    • ESD保护:

         HBM ANSI / ESDA / JEDEC JS-001 3A类超过4000 V.

         CDM JESD22-C101E超过1000 V.


    74LVC8T595双电源移位寄存器应用

    1. I²C

    2. 手机

    3. 液晶电视

    4. STB

    5. 个人计算

    6. Batterymanagement

    74LVC8T595 Integrated Circuits
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    74LVC8T595PWJ移位寄存器-逻辑及时序器件双电源8位串行输入/串行输出或并行输出移位寄存器;三态在线订购
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    应用案例

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      据介绍,NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半导体SiC MOSFET产品组合中首批发布的产品,随后安世半导体将持续扩大产品阵容,推出多款具有不同RDS(on)的器件,并提供通孔封装和表面贴装封装供选择。

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