Vishay 推出采用超紧凑 PowerPAK® SC-70 封装的第三代 TrenchFET® P- 沟道功率 MOSFET，进一步扩大了该产品阵容。Vishay Siliconix 的 MOSFET 专为节省空间和提升能效而设计，采用 2 x 2 mm 的基底面，使用 -4.5 V 和 -10 V 栅极驱动电压，在 12 V、20 V 和 30 V（12 V VGS 和 20 V VGS）器件中导通电阻业界最低。
对于电源管理中的负载和电池开关和同步降压转换器应用中的控制开关，-12 V SiA467EDJ 能提供低至 13 毫欧 (-4.5 V) 的极低导通电阻。20 V SiA437DJ 的导通电阻低至 14.5 毫欧姆 (4.5 V)，30 V SiA449DJ 和 SiA483DJ 的导通电阻也很低，分别为 20 毫欧姆 (10 V) 和 21 毫欧姆 (10 V)。此外，SiA437DJ 和 SiA467EDJ 具有 30 A 大额定电流，可用于存在高浪涌电流的负载开关应用。