购物车
上传BOM
FastIRFET™ 功率 MOSFET
International Rectifier 为 DC-DC 同步降压应用提供功率 MOSFET（FastIRFET™ Power MOSFET）
发布时间：2018-06-14
创新的 25V FastIRFET™ 系列产品非常适合于 DC-DC 同步降压应用的功率 MOSFET，具体应用包括先进的电信和网络通信设备、服务器、图形卡、台式机、超级本和笔记本电脑。 FastIRFET™ 系列采用 IR 的工业标准 PQFN 封装，该封装是分立式 DC-DC 转换器功率密度基准。 该系列包括导通电阻 (R/>dson<ph) 低至 0.7 mΩ 的 IRFH4201，以及旨在降低振铃效应、进一步提升系统能效的 IRFH4210D 和 IRFH4213D 单片 FETKY® 器件。 IR 的 FastIRFET™ 器件针对 5 V 栅极驱动应用进行了优化，能和任何控制器或驱动器配合使用以提高灵活性，并在小型基底面中实现了更高的电流、能效和频率能力。 这些器件采用行业标准 5 x 6 mm 和 3.3 x 3.3 mm PQFN 封装。这种封装采用了环保、无铅且符合 RoHS 规范的材料。
FastIRFET™ 功率 MOSFET特性
低 R/>dson<ph (< 0.95 mΩ)，降低了导通损耗
低热阻 PCB (< 0.8°C/W），散热更好
外形扁平 (< 0.9 mm)，功率密度更高
行业标准引脚布局，兼容多个供货商的产品
兼容现有表面贴装技术，制造更容易
通过了 MSL 1 工业鉴定，可靠性更高
FastIRFET™ 功率 MOSFET应用
同步整流器 MOSFET 用于同步降压转换器
用于隔离式 DC-DC 转换器的次级同步整流器 MOSFET
有源 O 环和热插拔
电池供电型直流电机逆变器
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | IRFH4210DTRPBF | MOSFETs-晶体管 | 连续漏极电流(Id)：44A | 在线订购 | |
| | IRFH4201TRPBF | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 25V 49A 8PQFN | 在线订购 | |
| | IRFH4210TRPBF | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 25V 45A 8PQFN | 在线订购 | |
| | IRFH4213DTRPBF | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 25V 40A 8PQFN | 在线订购 | |
 | | IRFH4213TRPBF | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 25V 41A 8PQFN | 在线订购 | |
| | IRFH4234TRPBF | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 25V 22A PQFN | 在线订购 | |
 | | IRFHM4226TRPBF | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N CH 25V 28A PQFN | 在线订购 | |
 | | IRFHM4234TRPBF | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 25V 20A PQFN | 在线订购 | |
 | | IRFHM4231TRPBF | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 25V 40A PQFN | 在线订购 |
应用案例
资讯 英飞凌将为Rivian的R2平台供应用于电动汽车牵引逆变器的功率模块2025-06-11
【 2025 年 6 月 10 日，德国慕尼黑讯】 全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）将为Rivian的R2平台提供适用于牵引逆变器的功率模块。R2平台将使用英飞凌HybridPACK™ Drive G2产品系列的碳化硅（SiC）和硅（Si）模块。英飞凌预计将从2026年开始供货。此外，英飞凌还将为该平台提供其他产品，包括AURIX™ TC3x微控制器和电源管理IC。 Rivian的R2平台将使用英飞凌HybridPACK™ Drive G2产品系列的碳化硅（SiC）和
资讯新品 | 英飞凌EconoDUAL™ 3 CoolSiC™ SiC MOSFET 1200V模块2025-06-10
新品英飞凌EconoDUAL3CoolSiCSiCMOSFET1200V模块英飞凌EconoDUAL31200V/1.4mΩCoolSiCSiCMOSFET半桥模块，增强型1代M1H芯片、集成NTC温度传感器和PressFIT引脚，还可提供预涂导热材料TIM版本(FF1MR12MM1HP_B11)或基板背面的Wave波浪结构，用于直接液体冷却(FF1MR12
资讯外媒称三星与英飞凌/恩智浦达成合作，共同研发下一代汽车芯片2025-06-09
据外媒 SAMMobile 报道，三星已与英飞凌（Infineon）和恩智浦（NXP）达成合作，共同研发下一代汽车芯片解决方案。 据悉， 此次合作将基于三星的 5 纳米工艺 ，重点是“优化内存与处理器的协同设计”，并致力于“增强芯片的安全性能与实时处理能力”。三星据称正在为该领域开发高集成度的 SoC 方案，以实现更优的能效比。 三星和英飞凌、恩智浦这两家公司之间已有深厚联系，几年前市场曾一度传言三星可能会收购英飞凌 / 恩智浦，但这些并购项目最终
资讯CoolSiC™ MOSFET Gen2性能综述2025-06-09
英飞凌新发布了CoolSiCMOSFETGen2系列产品，单管有D2PAK-7L表贴式和TO-247-4HC高爬电距离通孔式两种封装形式。与上一代产品相比，英飞凌全新的CoolSiCMOSFET650V和1200VGen2技术在确保质量和可靠性的前提下，进一步提升了MOSFET的主要性能指标，拥有更高的效率和功率密度。Gen2SiC性价比提高了15%，是各种
资讯倒计时7天 | OktoberTech™ 2025 高峰论坛嘉宾及议程揭晓2025-06-05
当大规模AI训练的能耗在全社会用电量中占比持续攀升；当全球汽车产业加速向电动化、智能化转型；当第三代半导体的应用有效减少了风力发电传输中的能量损耗、提高供电效率……在这场席卷全球的变革浪潮中，科技无疑是助力我们跨越挑战与把握机遇的关键力量。而我们所憧憬的未来，也将依托于各领域的创新解决方案，如绿色高效的能源、智能安全的物联网以及环保安全的交通出行等，它们将共
资讯论坛日程发布丨OktoberTech™英飞凌生态创新峰会现场高能抢先看2025-06-04
OktoberTech是由英飞凌主办的年度全球技术峰会，旨在展示前瞻性的技术如何推动低碳化和数字化的发展。每一年的OktoberTech，都是我们与产业、客户、合作伙伴相聚一堂、共话未来的珍贵时刻。在为期一天的活动期间，英飞凌与众多相关领域的意见领袖与技术专家将汇聚一趟，共同探讨行业趋势、创新合作及不同领域最新的产品及解决方案等议题。2025年恰逢英飞凌在华
资讯英飞凌推出全新紧凑型CoolSET封装系统（SiP），可在宽输入电压范围内提供最高60 W高效功率输出2025-05-30
【2025年5月28日, 德国慕尼黑讯】 全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出新型CoolSET™封装系统（SiP）。这款紧凑的全集成式系统功率控制器可在85 - 305 VAC通用输入电压范围内提供最高60 W高效功率输出。系统中的高压 MOSFET采用小型SMD封装，拥有低RDS(ON)且无需外部散热器，从而缩小了系统尺寸并降低了复杂性。CoolSET™ SiP支持零电压开关（ZVS）反激式操作，在实现低开关损耗和低EMI特性的同时，
资讯单模块支持70kW单相功率，英飞凌氮化镓产品模式再进化2025-05-28
电子发烧友网报道（文 / 吴子鹏）功率模块作为电力电子领域不可或缺的核心组件，承担着电能高效、稳定转换与控制的重任，尤其在对效能、稳定性和可靠性要求极高的场景中，发挥着关键作用。 在功率模块的设计中，最常见的集成方式是将 IGBT、MOSFET 与驱动、保护电路整合，这一设计能显著提升系统效率并降低损耗。随着第三代半导体材料（SiC、GaN）的技术突破，在新能源汽车电驱系统、光伏逆变器、数据中心等高压高频应用场景中，集成第三代
工商网监