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FDMC86570L 60 V N通道屏蔽栅极PowerTrench®MOSFET
安森美半导体的FDMC86570L（FDMC86570L 60 V N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET）保持卓越的开关性能
发布时间：2018-06-14
N沟道MOSFET采用安森美半导体先进的PowerTrench工艺生产，采用屏蔽栅极技术。该工艺针对导通电阻进行了优化，同时保持了卓越的开关性能。
FDMC86570L 60 V N通道屏蔽栅极PowerTrench®MOSFET特性
屏蔽栅极MOSFET技术
最大R DS（ON） =4.3mΩ，V GS = 10 V，I D = 18 A.
最大R DS（ON） =6.5mΩ，V GS = 4.5 V，I D = 15 A.
用于极低R DS（ON）的高性能技术
终止是无铅的
符合RoHS标准
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | FDMC86570L | MOSFETs-晶体管 | 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持出色的开关性能。 | ￥37.91374 | 在线订购 |
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