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FDMC86340 80 V N 沟道栅极屏蔽 Power Trench® MOSFET
ON Semiconductor 的 FDMC86340 （FDMC86340 80 V N-Channel Shielded Gate Power Trench® MOSFET）采用了栅极屏蔽技术
发布时间：2018-06-14
这款 N 沟道 MOSFET 采用 ON Semiconductor 的 Power Trench® 工艺制造，使用了栅极屏蔽技术。 这种工艺针对导通电阻进行了优化，并且仍保持了优异的开关性能。
FDMC86340 80 V N 沟道栅极屏蔽 Power Trench® MOSFET特性
栅极屏蔽 MOSFET 技术
最大 RDS(ON) = 6.5 mΩ，VGS = 10 V、LD = 14 A 时
最大 RDS(ON) = 8.5 mΩ，VGS = 8 V、LD = 12 A 时
实现超低 RDS(ON) 的高性能技术
无铅端接
符合 RoHS 规范
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