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600 V、10.2 A、380 mΩ、N 沟道 SuperFET® II MOSFET
On Semiconductor 的高电压超级结 MOSFET （N-Channel SuperFET® II MOSFET 600 V, 10.2 A, 380 mΩ）采用充电平衡技术
发布时间：2018-06-14
SuperFET® II MOSFET 是 On Semiconductor® 的第一代采用电荷平衡技术的高电压超级结 (SJ) MOSFET 系列，可实现出色的低导通电阻和更低的栅极电荷。 这种先进的技术经过针对性调整，最大限度地减少了导通损耗，具有出色的开关性能并承受极高的 dv/dt 速率、更高的雪崩能量。 因此，SuperFET II MOSFET 非常适合各种 AC/DC 电源转换，用于实现系统小型化和更高的能效。
600 V、10.2 A、380 mΩ、N 沟道 SuperFET® II MOSFET特性
650 V，TJ = 150°C 时
最大 RDS(on) = 380 mΩ
超低栅极电荷（典型 Qg = 34nC）
低值、高效输出电容（典型 C0SS. eff = 97pF）
100% 雪崩测试
600 V、10.2 A、380 mΩ、N 沟道 SuperFET® II MOSFET应用
不间断电源
PDP TV
PC 服务器
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照明
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