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FDMC8360L N 沟道栅极屏蔽式 Power Trench® MOSFET
ON Semiconductor 的 FDMC8360L （FDMC8360L N-Channel Shielded Gate Power Trench® MOSFET）针对导通电阻进行了优化
发布时间：2018-06-14
这款 N 沟道 MOSFET 采用 ON Semiconductor 的 PowerTrench® 工艺制造，使用了栅极屏蔽技术。 这种工艺针对导通电阻进行了优化，并保持了优异的开关性能。
FDMC8360L N 沟道栅极屏蔽式 Power Trench® MOSFET特性
栅极屏蔽 MOSFET 技术
最大 RDS(on) = 2.1 mΩ，VGS = 10 V、LD = 27 A 时
最大 RDS(on) = 3.1 mΩ，VGS = 4.5 V、LD = 22 A 时
实现超低 RDS(on) 的高性能技术
无铅端接
100% 通过 UIL 测试
符合 RoHS 规范
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