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    EPC2018 150 V eGaN® FET

    EPC2018 150 V eGaN® FET

    Efficient Power Conversion 提供高性能 EPC2018 150 V eGaN® FET(EPC2018 150 V eGaN® FET)

    发布时间:2018-06-14

    EPC 的 EPC2018 氮化镓功率晶体管可提供高频率开关功能,可在 DC-DC 电源转换和 D 类音频应用中实现卓越的性能。
    EPC2018 是 5.76 mm²、150 VDS、12 A 器件,在 5 V 电压施加于栅极时可以获得 25 毫欧姆最大 RDS(on)。 这种氮化镓功率晶体管因其超高开关频率、极低 RDS(on)、 极低 QG 以及较小的封装而能实现较高性能。
    能够受益于  eGaN FET 性能的应用包括高速 DC-DC 电源、负载点转换器、D 类音频放大器、功率无线传输、射频包络跟踪以及硬切换和高频电路。

    EPC2018 150 V eGaN® FET特性

    • 超高能效

    • 超小基底面

    • 超低 RDS(on)

    • 超低 QG

    EPC2018 150V eGaN FET
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