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第 2 代高压 SiC MOSFET
ROHM 的首款带有 SiC SBD 的共同封装式 SiC MOSFET（2nd Generation High-Voltage SiC MOSFETs）
发布时间：2018-06-14
ROHM 的最新 SiC MOSFET 系列不会产生拖尾电流，且拥有体二极管的快速特性，因此相比硅 IGBT 器件大大降低了开关损耗，降幅高达 90%。 上述特性使器件能在 70 ns - 90 ns 内完成导通/关断，从而使开关频率范围达到数十万赫兹，所以，能减小无源元件的尺寸和重量，并通过用更小、更轻的无源风冷散热器替换液体或强制风冷热管理器件来实现体积更小、成本更低的冷却系统，让设计人员设计出能效更高的系统。
通过改进与晶体缺陷和器件结构相关的工艺，将每单位面积导通电阻降低了约 30%（相比传统产品），ROHM 还成功地克服了因反向导通（例如，增加了导通电阻、正向电压和电阻老化）期间体二极管降额和栅极氧化膜过早失效造成的特性老化问题。
除了标准产品线，ROHM 还提供常用的 SCH2080KE，这是业内首款共同封装了一个分立式反并联碳化硅肖特基势垒二极管的碳化硅 MOSFET，与体二极管相比，正向电压小了三倍。 相比同等的分立式解决方案，功率损耗降至最低（小了 70% 或更多），同时节省并宝贵的板空间、简化了布局并降低了 BOM 成本。
第 2 代高压 SiC MOSFET特性
高速开关（典型 ton = 70 纳秒，toff = 98 纳秒）
同类领先的低导通电阻，具有最小的温度相关性
大幅降低了功率损耗——无尾电流，相比硅 IGBT，开关损耗降低了 80%
可防止因寄生二极管导通造成的降额
共同封装式 SiC SBD (SCH2080KE) 降低了正向电压和外部零件数，节省空间
第 2 代高压 SiC MOSFET应用
DC/DC 转换器
太阳能逆变器
三相逆变器
电力调节器
不间断电源 (UPS)
电动和混合动力汽车逆变器
交流逆变器
工业设备
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | SCH2080KEC | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 1200V 40A TO-247 | 在线订购 | |
| | SCT2160KEC | MOSFETs-晶体管 | 在线订购 | ||
| | SCT2450KEC | MOSFETs-晶体管 | 在线订购 | ||
 | | SCT2280KEC | MOSFETs-晶体管 | N沟道,1200V,14A,280mΩ@18V | 在线订购 | |
 | | SCT2120AFC | JFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 650V 29A TO-220AB | 在线订购 | |
| | SCT2080KEC | MOSFETs-晶体管 | 在线订购 |
应用案例
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