ROHM 的最新 SiC MOSFET  系列不会产生拖尾电流，且拥有体二极管的快速特性，因此相比硅 IGBT 器件大大降低了开关损耗，降幅高达 90%。 上述特性使器件能在 70 ns - 90 ns 内完成导通/关断，从而使开关频率范围达到数十万赫兹，所以，能减小无源元件的尺寸和重量，并通过用更小、更轻的无源风冷散热器替换液体或强制风冷热管理器件来实现体积更小、成本更低的冷却系统，让设计人员设计出能效更高的系统。
通过改进与晶体缺陷和器件结构相关的工艺，将每单位面积导通电阻降低了约 30%（相比传统产品），ROHM 还成功地克服了因反向导通（例如，增加了导通电阻、正向电压和电阻老化）期间体二极管降额和栅极氧化膜过早失效造成的特性老化问题。
除了标准产品线，ROHM 还提供常用的 SCH2080KE，这是业内首款共同封装了一个分立式反并联碳化硅肖特基势垒二极管的碳化硅 MOSFET，与体二极管相比，正向电压小了三倍。 相比同等的分立式解决方案，功率损耗降至最低（小了 70% 或更多），同时节省并宝贵的板空间、简化了布局并降低了 BOM 成本。