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CGHV27200 电信晶体管
来自 Cree 的用于 LTE 的 200 W、2500-2700 MHz、GaN HEMT（CGHV27200 Telecom Transistor）
发布时间：2018-06-14
Cree 的 CGH55030F2 是一款氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)，专用于实现高能效、高增益和宽带宽功能。 这使得 CGHV27200 非常适合用于 2.5 至 2.7 GHz LTE 和 BWA 放大器应用。 该晶体管采用陶瓷/金属法兰封装。
CGHV27200 电信晶体管特性
2.5 至 2.7 GHz 工作频率
16 dB 增益
40 W PAVE 时，-37 dBc ACLR
40 W PAVE 时，能效为 30%
可应用高度 DPD 校正
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | CGHV27200F | MOSFETs-晶体管 | RF Mosfet HEMT 50V 1A 2.5GHz ~ 2.7GHz 15dB ~ 16dB 200W 440162 | 在线订购 | |
 | | CGHV27200-TB | RF其它IC和模块-射频器件 | EVAL BOARD FOR CGHV27200 | 在线订购 |
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