Toshiba 的产品采用最新开发的微型 CMOS 工艺，具有低工作电压 (1.1 V) 和低导通电阻特性（55 Ω，典型值）（VIN = 3.3 V、IOUT = 500 mA)，采用 0.4 mm 间距超小型 WCSP6B 封装（0.8 mm × 1.2 mm、t：0.64 mm，最大）和 WCSP6B 封装（0.8 mm × 0.8 mm、t：0.64 mm，最大）。作为标准额外功能，提供峰值限流器和过热保护电路，并根据产品类型提供输出自动放电功能。这些负载开关 IC 基底面仅 0.96 mm²，适合用于象移动设备等需要高密度封装的应用。提供过流保护版本，以便适合 500 mA 和 800 mA 应用...