Vishay 推出采用 PowerPAK® 1212-8 和 PowerPAK 1212-8S 封装的 -40 V 和 -30 V 器件，进一步扩大了其第三代 TrenchFET® P 沟道功率 MOSFET 产品阵容。在 -10 V 和 -4.5 V 栅极驱动电压下实现了业内低导通电阻，Vishay 的 Siliconix SiS443DN 是首款第三代 -40 V P 沟道器件，而 SiSS27DN 则是首款采用 PowerPAK 1212-8S 串封装的 -30 V MOSFET 器件。
SiS443DN 和 SiSS27DN 是优化产品，适用于 24 V、 19 V 和 12 V 负载开关以及众多应用中的适配器和电池开关，包括移动计算中的电源管理、智能手机和平板电脑。这些器件拥有业内低导通电阻，能让设计人员在电路中实现更低压降，更有效地使用电源，延长电池使用寿命。
在需要更高额定电压的应用中，采用 3.3 mm × 3.3 mm PowerPAK 1212-8 封装的 -40 V SiS443DN 的最大导通电阻为 11.7 mΩ (-10 V) 和 16 mΩ (-4.5 V)。在导通电阻为关键因素的情况下，采用 PowerPAK 1212-8S  封装、厚度仅为 0.75 mm 的 SiSS27DN 拥有极低的导通电阻：5.6 mΩ (-10 V) 和 9 mΩ (-4.5 V)。